150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET、東芝：TPH9R00CQ5

東芝デバイス＆ストレージは、産業機器用スイッチング電源向けの150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQ5」を発売した。ドレインソース間のオン抵抗や逆回復電荷量などが低減している。

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2023年3月、産業機器用スイッチング電源向けの150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQ5」を発売した。

150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQ5」 出所：東芝デバイス＆ストレージ

　ドレインソース間のオン抵抗は最大9.0mΩで、同社従来品「TPH1500CNH1」と比較して約42％低減した。また、逆回復電荷量も同社従来品「TPH9R00CQH」と比較して約74％低減していて、逆回復時間が約44％短縮した。

チャンネル温度は最高175℃

　スイッチング時においてドレインソース間で生じるスパイク電圧は、TPH9R00CQHと比較して低減した。スイッチング電源のEMI（電磁干渉）抑制に寄与する。チャンネル温度は最高175℃。パッケージは4.9×6.1×1.0mmのSOPを採用した。

　設計ツールとして、短時間で回路動作を検証できるSPICEモデル（G0モデル）や、パワーデバイスの過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル（G2モデル）を提供する。

　同社のWebサイトでは、1kWフルブリッジ方式DC-DCコンバーターのリファレンスデザインを公開しており、TPH9R00CQ5を活用できる。また、TPH9R00CQ5を活用した通信機器用非絶縁昇降圧1kW DC-DCコンバーターと、MOSFET応用3相マルチレベルインバーターのリファレンスデザインも公開した。

左＝通信機器用非絶縁昇降圧1kW DC-DCコンバーターのリファレンスデザイン／右＝MOSFET応用3相マルチレベルインバーターのリファレンスデザイン 出所：東芝デバイス＆ストレージ