耐圧100V/150V/650Vのeモード構成パワーGaN FET：Nexperiaが7種類を発表

Nexperiaは、低電圧および高電圧のアプリケーション向けに、eモードで構成したパワーGaN FET7種を発表した。同社が既に提供しているカスコードモードのGaN FETと合わせて、設計者にGaN FETの最適な選択肢を提供する。

[EDN Japan]

　Nexperiaは2023年5月、低電圧（100/150V）および高電圧（650V）のアプリケーション向けに、eモード（エンハンスメントモード）で構成したパワーGaN FET7種を発表した。

eモードGaN FET 出所：Nexperia

　RDS（on）値は、650V品が80m〜190mΩ、100V品が3.2mΩ、150V品が7mΩとなっている。650V品はパッケージに5×6mmまたは8×8mmのDFN、100V品はWLCSP8、150V品はFCLGAを採用した。

GaN採用でスイッチング性能が向上

　eモードGaN FETは、非常に低いQgとQOSS値により、スイッチング性能が向上。低オン抵抗により、電力効率の高い設計ができる。

　650V品はデータ通信機器やソーラー発電、コンシューマー向け充電器、産業向けアプリケーションなど、100Vおよび150V品はデータセンター用DC-DCコンバーターやeモビリティなどの充電、LiDARトランシーバーなどでの用途に適する。

　同社は、高電圧および高出力電源アプリケーション向けに、カスコードモードのGaN FETも以前より提供している。今回発表した製品群は、同社の200mmウエハー対応工場にて量産する。