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650V耐圧、産業機器向けエンハンスメント型GaN HEMTSTマイクロ SGT120R65AL、SGT65R65AL

STマイクロエレクトロニクスは、エンハンスメント型GaN(窒化ガリウム) HEMT「G-HEMT」として、「SGT120R65AL」および「SGT65R65AL」の量産を開始した。650V耐圧で産業機器向けとなっている。

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 STマイクロエレクトロニクスは2023年7月、エンハンスメント型GaN(窒化ガリウム) HEMT「G-HEMT」として、「SGT120R65AL」「SGT65R65AL」の量産を開始したと発表した。100個購入時の単価は、SGT120R65ALが約2.6米ドル(約366円)、SGT65R65ALが約5.0米ドル(約704円)となる。

エンハンスメント型GaN HEMT「SGT120R65AL」「SGT65R65AL」
エンハンスメント型GaN HEMT「SGT120R65AL」「SGT65R65AL」 出所:STマイクロエレクトロニクス

 両製品は650V耐圧で、産業機器向けとなる。定格電流は、SGT120R65ALが15A、SGT65R65ALが25A。25℃でのオン抵抗は、SGT120R65ALが75mΩ、SGT65R65ALが49mΩ(いずれもTyp.)だ。

ターンオン、ターンオフ時の電力損失を低減

 総ゲート電荷はSGT120R65ALが3nC、SGT65R65ALが5.4nC。寄生容量が低いため、ターンオン、ターンオフ時の電力損失を低減できる。ゲート駆動を最適化するケルビンソース接続も採用した。

 5×6mmの表面実装型「PowerFLAT」HVパッケージで提供する。この他に、8×8mmのPowerFLAT DSCや、高電力用途向けに12×12mmのLFPAKといったパッケージオプションの提供も予定している。

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