650V耐圧、産業機器向けエンハンスメント型GaN HEMT：STマイクロ SGT120R65AL、SGT65R65AL

STマイクロエレクトロニクスは、エンハンスメント型GaN（窒化ガリウム） HEMT「G-HEMT」として、「SGT120R65AL」および「SGT65R65AL」の量産を開始した。650V耐圧で産業機器向けとなっている。

[EDN Japan]

　STマイクロエレクトロニクスは2023年7月、エンハンスメント型GaN（窒化ガリウム） HEMT「G-HEMT」として、「SGT120R65AL」「SGT65R65AL」の量産を開始したと発表した。100個購入時の単価は、SGT120R65ALが約2.6米ドル（約366円）、SGT65R65ALが約5.0米ドル（約704円）となる。

エンハンスメント型GaN HEMT「SGT120R65AL」「SGT65R65AL」 出所：STマイクロエレクトロニクス

　両製品は650V耐圧で、産業機器向けとなる。定格電流は、SGT120R65ALが15A、SGT65R65ALが25A。25℃でのオン抵抗は、SGT120R65ALが75mΩ、SGT65R65ALが49mΩ（いずれもTyp.）だ。

ターンオン、ターンオフ時の電力損失を低減

　総ゲート電荷はSGT120R65ALが3nC、SGT65R65ALが5.4nC。寄生容量が低いため、ターンオン、ターンオフ時の電力損失を低減できる。ゲート駆動を最適化するケルビンソース接続も採用した。

　5×6mmの表面実装型「PowerFLAT」HVパッケージで提供する。この他に、8×8mmのPowerFLAT DSCや、高電力用途向けに12×12mmのLFPAKといったパッケージオプションの提供も予定している。