D2PAK-7パッケージの1200V耐圧 SiC MOSFET：オン抵抗は30／40／60／80mΩを用意

ネクスペリアは、D2PAK-7パッケージの1200V SiC MOSFET「NSF0xx120D7A0」を発表した。3ピンおよび4ピンのTO-247パッケージ品に続く製品で、オン抵抗は30、40、60、80mΩから選択できる。

[EDN Japan]

　ネクスペリアは2024年5月、D²PAK-7パッケージの1200V SiC（炭化ケイ素） MOSFET「NSF0xx120D7A0」を発表した。3ピンおよび4ピンのTO-247パッケージ品に続く製品で、R_DS（on）（オン抵抗）は30、40、60、80mΩから選択できる。

D2PAK-7パッケージの1200V SiC MOSFET「NSF0xx120D7A0」

25〜175℃の動作温度範囲で、オン抵抗の公称値増加を抑える

　動作温度範囲は25〜175℃で、デバイスの動作温度が上昇すると100％超となるR_DS（on）の公称値の増加を38％に抑えた。しきい値電圧の仕様を厳しく設定することで、並列接続時にバランスの取れた通電性能を提供する。

　ボディーダイオード順方向電圧が低く、デバイスの堅牢性と効率を向上できる。その一方で、フリーホイール動作時のデッドタイム要件を緩和した。

　D²PAK-7は、EV（電気自動車）の充電、UPS（無停電電源装置）、太陽光発電や蓄電システム用インバーターなど、産業用途で普及が進んでいる。SMD（表面実装）パッケージの高性能SiCスイッチに対する需要増加に対応するため、D²PAK-7パッケージ製品を開発した。