SiC MOSFETの駆動に特化したローサイドゲートドライバー：負電圧レギュレーターを内蔵

リテルヒューズは、SiC（炭化ケイ素） MOSFETおよびIGBTの駆動に特化した、ローサイドゲートドライバー「IX4352NE」シリーズを発表した。負電圧レギュレーターを内蔵し、dV/dt耐性とターンオフの高速化に対応した。

[EDN Japan]

　リテルヒューズは2024年6月、SiC（炭化ケイ素） MOSFETおよびIGBTの駆動に特化した、ローサイドゲートドライバー「IX4352NE」シリーズを発表した。50個単位のチューブ形と2000個単位のリール形式で提供する。

SiC MOSFETおよびIGBT向けローサイドゲートドライバー「IX4352NE」シリーズ 出所：リテルヒューズ

ターンオン、ターンオフのタイミング調整が可能

　IX4352NEは、9Aソースとシンク出力を分離していて、スイッチング損失を最小限に抑えつつ、ターンオンやターンオフのタイミング調整ができる。ピークドライブ電流は9A、出力抵抗はソース2Ω、シンク1.5Ω。論理的構成は非反転、低電圧誤動作防止は最大10Vとなる。

　負電圧レギュレーターを内蔵したことで、ユーザーがゲート駆動バイアスを負にでき、dV／dt耐性とターンオフの高速化に対応した。ドライバーの動作電圧範囲は最大35Vで、外付けの補助電源やDC-DCコンバーターは必要ない。

　保護機能として、低電圧誤動作防止（UVLO）やソフトシャットダウンシンクドライバーを備えた非飽和検出（DESAT）、サーマルシャットダウン（TSD）などを搭載。パワーデバイスとゲートドライバーを確実に保護する。内蔵のオープンドレインFAULT出力により、マイコンに故障を通知できる。

　パッケージは、16ピンのパワーSOIC（放熱裏面パッド付き）を採用した。主な用途として、オンボードチャージャーやオフボードチャージャー、力率補正（PFC）、DC-DCコンバーター、モーター制御装置、産業用電力インバーターなどを見込む。