銅板2枚でダイ挟む新パッケージで性能向上、80V／100V MOSFET：ネクスペリア PSMN1R0-100ASFなど16種

ネクスペリアは、新パッケージ「CCPAK1212」を採用した80Vおよび100VのパワーMOSFET16種を発表した。CCPAK1212は、銅板2枚でシリコンダイを挟んだ構造となっている。

[EDN Japan]

　ネクスペリアは2024年12月、新パッケージ「CCPAK1212」を採用した80Vおよび100VのパワーMOSFET16種を発表した。

新パッケージ「CCPAK1212」採用の80V、100VパワーMOSFET 出所：ネクスペリア

　CCPAK1212は、ドレインタブとソースクリップの銅板2枚でパワーMOSFETのシリコンダイを挟んだ構造となっている。ワイヤボンディングを用いておらず、オン抵抗や寄生インダクタンスが低減。また、最大電流定格や熱特性が向上した。

　今回発表した製品群は、上面放熱タイプと底面放熱タイプの2種をラインアップにそろえた。スイッチモード電源やブラシレスDCモーター制御、BMS（バッテリーマネジメントシステム）、再生可能エネルギーシステムといった大電力用途に適する。

AIサーバのホットスワップ機能向け製品も提供

　ベンチマークに位置付けている100V パワーMOSFET「PSMN1R0-100ASF」（底面放熱タイプ）は、オン抵抗が0.99mΩ、電流定格が460A、許容全損失が1.55kWとなった。同様の性能を有する上面放熱タイプの「PSMN1R0-100CSF」も選択可能となっている。

　その他では、AI（人工知能）サーバのホットスワップ機能向けに設計した特定用途向けMOSFET（ASFET）もラインアップにそろえた。

　CCPAK1212は、JEDECに登録済み。今後はCCPAK1212を全電圧範囲に拡大し、車載用電子部品規格「AEC-Q101」にも準拠する計画を明らかにしている。