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耐圧3.3kVのパワー半導体、スイッチング損失を15%減 三菱電機:大型産業機器向け
三菱電機は、鉄道車両などの大型産業機器向け大容量パワー半導体「HVIGBTモジュールXBシリーズ」の新製品として耐電圧3.3kV、定格電流1500Aタイプを発売する。
三菱電機は2025年4月、大容量パワー半導体「HVIGBTモジュールXBシリーズ」の新製品として、耐電圧3.3kV/定格電流1500Aタイプを発表した。同年5月1日に発売予定で、価格は個別見積もりだ。鉄道車両の駆動システムや電源装置など、大型産業機器向けインバーターの高効率化に寄与する。
独自のRFCダイオードとCSTBT構造のIGBT素子を採用
同製品は、カソード側の電子移動度を最適化したRFCダイオードと独自のIGBT素子を搭載。IGBT素子は、キャリア蓄積効果を活用したCSTBT構造を採用している。
従来品「Rシリーズ」に比べ、トータルスイッチング損失を約15%低減した。逆回復時安全動作領域におけるRRSOA耐量を、CM1500HC-66Rの約25%拡大し、信頼性の向上を図った。
また、p型半導体領域の間隔を徐々に広がるように最適配置した「電界緩和構造」をチップの終端領域に採用。加えて、半絶縁膜を半導体領域に直接接触させ、安定して電荷を逃がす「表面電荷制御構造」用いたことで、終端領域を約30%低減した。耐湿性能はCM1500HC-66Rの約20倍に向上し、高湿度環境下で使用されるインバーターの安定稼働に貢献する。
絶縁耐電圧は6.0kVrms、結線はシングルタイプだ。外形サイズは140×190×38mmで、CM1500HC-66Rや耐電圧3.3kV、定格電流1200Aの「Hシリーズ」とは外形互換性を有していて、置き換えも容易だ。
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