実装面積を52％削減 高電力密度のOBC向けSiCモジュール、ローム：パッケージ温度を38℃抑制

ロームは、4個または6個のSiC MOSFETを内蔵した、SiCモールドタイプモジュール「HSDIP20」を発表した。750V耐圧品「BSTxxx1P4K01」を6品番、1200V耐圧品「BSTxxx2P4K01」を7品番用意する。

[EDN Japan]

　ロームは2025年4月、4個または6個のSiC MOSFETを内蔵した、SiCモールドタイプモジュール「HSDIP20」を発表した。750V耐圧品「BSTxxx1P4K01」を6品番、1200V耐圧品「BSTxxx2P4K01」を7品番用意し、同月から月産10万個体制で量産を開始する。サンプル価格は1万5000円（税別）だ。

SiCモールドタイプモジュール「HSDIP20」 出所：ローム

　高放熱の絶縁材料を内蔵し、大電力動作時もチップ温度の上昇を抑えることができる。25W時のパッケージ温度は、上面放熱タイプのディスクリート6点に比べて、6in1構成のHSDIP20は約38℃低い温度となった。

小型化と高電力密度を達成

　パッケージは38.0×31.3×3.5mmのHSDIP20を採用し、上面放熱タイプのディスクリートと比べてPFC回路での実装面積を約52％低減した。また、小型ながら大電流に対応。上面放熱タイプのディスクリートの3倍以上、同じDIPタイプモジュールの1.4倍以上となる電力密度を達成している。

　25W動作時のドレインソース間電圧は750Vまたは1200Vで、最大接合温度は175℃。オン抵抗は、750V耐圧品で13／26／45mΩ、1200V耐圧品で18／36／62mΩ。xEV（電動車）用オンボードチャージャーのPFCやLLCコンバーターなどでの利用を見込む。