「ASIL-D」準拠に貢献する車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバー、ST：拡張性に優れたEVパワートレイン設計に

STマイクロエレクトロニクスは、SiC MOSFETおよびIGBT向けの車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「STGAP4S」を発表した。「ASIL-D」準拠に貢献する保護機能と診断機能を備えている。

[EDN Japan]

　STマイクロエレクトロニクスは2025年5月、SiC MOSFETおよびIGBT向けの車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバー「STGAP4S」を発表した。既に量産中で、単価は1000個購入時に約4.66米ドル（約675円）だ。

車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「STGAP4S」 出所：STマイクロエレクトロニクス

ASIL D準拠に対応する保護機能および診断機能を完備

　出力回路は、外付けMOSFETのプッシュプルバッファーを使用でき、異なる電力定格のインバーターを制御し、複数のパワースイッチを並列使用できる。小型のパワーMOSFETで最大数十アンペアのゲート駆動電流を生成し、最大1200Vの動作電圧に対応する。

　ISO 26262 安全性レベルD（ASIL-D）準拠に貢献する保護機能と診断機能を備えている。チャンネルゲート駆動を制御回路、低電圧インタフェース回路から絶縁し、ゲート駆動電流の拡張も可能だ。

　外部NチャンネルMOSFET用のアクティブミラークランプ、低電圧や過電圧のロックアウト機能、DESATなどの保護機能も搭載。オプションのフライバックコントローラーを使用すると、正負のゲート駆動に必要な高電圧回路側の電源を生成して、SiC MOSFETの高効率、高速スイッチングができる。

　パッケージは、ワイドボディーのSO-36WDIPを採用。評価ボード「EVALSTGAP4S」は2つのSTGAP4Sドライバが搭載されていて、ドライバの機能をハーフブリッジの応用で評価できる。