高周波電力向けのハイサイドローサイドゲートドライバー、リテルヒューズ：業界標準のピン配置で置き換えが容易

Littelfuseジャパンは、高周波電力向けに最適化した高速ハイサイドローサイドゲートドライバー「IXD2012NTR」シリーズを発表した。ハーフブリッジ構成で、2つのNチャンネルMOSFETまたはIGBTを駆動する。

[EDN Japan]

　Littelfuseジャパンは2025年6月、高周波電力向けに最適化した高速のハイサイドローサイドゲートドライバ「IXD2012NTR」シリーズを発表した。同月上旬に発売する。

ハイサイドローサイドゲートドライバー「IXD2012NTR」シリーズ 出所：Littelfuseジャパン

　IXD2012NTRシリーズは、スイッチング性能に優れ、ハーフブリッジ構成で2つのNチャンネルMOSFETかIGBTを駆動する。10〜20Vの電圧範囲で動作し、ブートストラップ動作によって最大200Vのハイサイドスイッチに対応。3.3Vまでの標準TTLとCMOSレベルとの互換性があるロジック入力を備え、さまざまな制御デバイスとシームレスに統合できる。また、1.9Aのソース出力と2.3Aのシンク出力能力によって、高速スイッチングに適した堅牢なゲート駆動電流を供給する。

同時にオンになるのを防ぐクロスコンダクション保護ロジック

　クロスコンダクション保護ロジックを内蔵し、ハイサイドとローサイド出力が同時にオンになるのを防ぐ。パッケージは小型のSOIC（N）-8を採用し、−40〜＋125℃の範囲で動作するため、厳しい環境でも高い信頼性が期待できる。既存の業界基準ゲートドライバとピン配置が同じで、既存品からの置き換えにも対応する。

　DC-DCコンバーターやAC-DCインバーター、モーター制御装置、クラスDパワーアンプなどの高周波用途向けの製品に適する。他にも、一般産業機器や家電、建設業界向けソリューション、エネルギー貯蔵、太陽光エネルギー、電動工具など、幅広い分野で利用できる。