熱抵抗15%低減 新パッケージ採用NチャネルパワーMOSFET、東芝D&S：「SOP Advance(E)」採用

東芝デバイス＆ストレージは、新パッケージ「SOP Advance(E)」を採用した産業用機器向けのNチャネルパワーMOSFET「TPM1R908QM」（80V耐圧）と「TPM7R10CQ5」（150V耐圧）を発表した。

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2025年7月、新パッケージ「SOP Advance(E)」を採用した産業用機器向けのNチャネルパワーMOSFET「TPM1R908QM」（80V耐圧）と「TPM7R10CQ5」（150V耐圧）を発表した。データセンターや通信基地局などでのスイッチング電源用途に適する。

NチャネルパワーMOSFET「TPM1R908QM」「TPM7R10CQ5」 出所：東芝デバイス＆ストレージ

パッケージ抵抗が約65％、熱抵抗が約15％低減

　SOP Advance(E)は、従来の「SOP Advance(N)」と比べてパッケージ抵抗が約65％、熱抵抗が約15％低減している。今回発表した両製品は、同社従来品に比べてドレインソース間オン抵抗が約21％低減した。具体的には、TPM1R908QMが1.9mΩ、TPM7R10CQ5が7.1mΩとなっている（いずれもV_GS=10V）

ドレインソース間オン抵抗比較 出所：東芝デバイス＆ストレージ

　また、チャネルケース間熱抵抗は両製品とも0.6℃/W（T_C＝25℃）で、同社従来品に比べて15％低減した。スイッチング電源用途における電力損失の低減、システム効率の向上に寄与する。

チャネルケース間熱抵抗比較 出所：東芝デバイス＆ストレージ

　パッケージサイズは4.9×6.1mm。ゲート入力電荷量は、TPM1R908QMが108nC、TPM7R10CQ5が57nCで、逆回復時間はそれぞれ57ナノ秒、45ナノ秒になる。

　また、回路設計支援ツールとして「SPICE」モデルを提供する。短時間検証に適した「G0」モデルに加え、過渡特性をより正確に再現する「G2」モデルも用意する。