高電力密度対応の1400V耐圧SiC MOSFET、インフィニオン：独自はんだ付け技術を採用

インフィニオン テクノロジーズは、EV充電などの高容量アプリケーション向けに、TO-247 PLUS-4リフローパッケージを採用した「CoolSiC MOSFET 1400V G2」を発表した。最大3サイクルまで、260℃でのリフローはんだ付けをサポートする。

[EDN Japan]

CoolSiC MOSFET 1400V G2 出所：インフィニオン テクノロジーズ

　インフィニオン テクノロジーズは2025年10月（現地時間）、電気自動車（EV）充電などの高容量アプリケーション向けに、TO-247 PLUS-4リフローパッケージを採用した「CoolSiC MOSFET 1400V G2」を発表した。最大3サイクルまで、260℃でのリフローはんだ付けをサポートする。

　同パッケージは、200℃の接合部温度でも高いピーク電流能力を維持しつつ、信頼性の高い動作を可能にする。同社独自のはんだ付け技術「.XT相互接合」により、過酷な環境下での熱特性と機械的堅牢性が向上している。

過電圧保護対策を簡素化

　今回、1400V電圧クラスを新たに追加したことで、高速スイッチング時の電圧に余裕を持たせ、過電圧保護対策の簡素化に寄与する。ディレーティングの必要性を低減し、システム全体の堅牢性を高めることができる。

　オン抵抗は6〜29mΩで、EV充電やエネルギー貯蔵システム、商用車、建設用車両、農業用車両（CAV）などの電力密度が必須な用途に適する。高クリーページのTO-247-4パッケージで提供する「CoolSiC MOSFET 1400V」も用意。オン抵抗は11〜38mΩで、太陽光発電などの用途も対象になる。

　両製品とも、既に供給を開始している。