Navitasが2.3kV／3.3kV SiC MOSFETを投入：独自技術で信頼性と性能を向上

Navitasは第4世代「GeneSiC」プラットフォームベースの2.3kVおよび3.3kVのSiC MOSFETのサンプル提供を開始した。 独自のトレンチアシストプレーナー（TAP）技術を採用し、エネルギーインフラ向けに高信頼性と高性能を実現する。

[EDN]

　Navitas Semiconductor（以下、Navitas）が、2.3kVおよび3.3kVのSiC MOSFET製品を、パワーモジュール、ディスクリート、KGD（Known Good Die）の各形態でサンプル出荷を開始した。第4世代の「GeneSiC」プラットフォームベースの製品で、独自のトレンチアシストプレーナー（TAP）技術を活用。ミッションクリティカルなエネルギーインフラ用途に向けて、信頼性と性能の向上を実現する。

[クリックで拡大] 出所：Navitas

　Navitasによると、TAPアーキテクチャは多段階の電界管理プロファイルを採用していて、トレンチ型や従来のプレーナ型SiC MOSFETと比べて電圧ストレスを大幅に低減し、ブロッキング性能を向上させるという。長期信頼性やアバランシェ耐量の向上に加え、TAPは最適化されたソースコンタクトを採用することで、セルピッチ密度の向上と電流拡散の改善を可能にする。これらの進歩によって、スイッチング性能指数の向上と、高温動作時におけるオン抵抗の低減を実現する。

　パッケージの選択肢には、同社の「SiCPAK G+」パワーモジュールが含まれる。同モジュールはエポキシ樹脂によるポッティングを採用していて、同様のシリコーンゲル封止設計と比べて、パワーサイクル寿命を60％以上、熱衝撃信頼性を10％以上向上するという。ディスクリートのSiC MOSFETはTO-247およびTO-263-7パッケージで提供され、KGD製品はカスタムSiCパワーモジュール開発においてシステムメーカーに高い柔軟性をもたらす。