低損失200V MOSFET、iDEAL Semiconductor：低オン抵抗で高効率を実現

iDEAL Semiconductorは、低オン抵抗を特徴とする200V MOSFETを発表した。高効率と高電流対応によりモータードライブなどに適する製品である。

[EDN]

　iDEAL SemiconductorのSuperQ 200V MOSFETポートフォリオに、標準パワーパッケージで非常に低いRDS_（on）を提供する2製品が加わった。これら2つのSuperQデバイスは、高効率、堅牢性、フォールトトレランスが求められる高負荷のモータードライブ用途向けに設計されている。

[クリックで拡大] 出所：iDEAL Semiconductor

　iS20M5R5S1Tは、コンパクトなTOLLパッケージで最大RDS_（on）がわずか5.5mΩで、スペース制約のある設計において高い電力密度と導通損失の低減を可能にする。同様に、iS20M6R3S1Pは堅牢なTO-220パッケージで最大RDS_（on）が6.3mΩを実現していて、スルーホール実装、機械的固定、または直接ヒートシンクを必要とする用途において高効率を提供する。

　新しいSuperQ MOSFETは、高い短絡耐量電流と、±0.5Vのばらつきに抑えられたゲートしきい値の高い一致性を備えていて、並列動作を容易にする。定格温度は175℃で、TOLLパッケージでは最大151A、TO-220パッケージでは最大172Aの電流に対応する。両デバイスはアバランシェ耐量を備え、製造時に100％UIS試験を実施している。

　これらのMOSFETはモータードライブに加え、スイッチング電源、二次側同期整流および、その他の高電流の産業機器やバッテリー駆動システムにも適している。

　iS20M5R5S1TおよびiS20M6R3S1Pは既に量産中だ。