サーバなどで高い効率と電力密度を実現する600V SJ-MOSFET：AOS「αMOS E2」

Alpha & Omega Semiconductor（AOS）が600V NチャネルMOSFET「AOTL037V60DE2」を発表した。高効率と高電力密度を実現し、サーバーや通信整流器、太陽光インバーターなどの電源用途に適するデバイスである。

[EDN]

　Alpha & Omega Semiconductor（AOS）の高耐圧スーパージャンクションMOSFET（SJ-MOSFET）プラットフォーム「αMOS E2」の最初の製品となるのが、600VのNチャネルMOSFET「AOTL037V60DE2」である。同製品は、サーバやワークステーション、通信整流器、太陽光インバーター、モータードライブ、その他の産業用電源システムといった中〜高出力アプリケーションにおいて、高い効率と電力密度を実現する。

[クリックで拡大] 出所：Alpha & Omega Semiconductor

　ソフトスイッチングトポロジー向けに最適化されたAOTL037V60DE2は、低いスイッチング損失を実現し、Totem Pole PFC、LLCコンバーター、PSFBコンバーターのほか、CrCM H-4およびサイクロインバーター用途に適する。パッケージはTOLLで、最大RDS(on)は37mΩである。

　αMOS E2は、短絡時や起動時の過渡現象で発生する逆回復などのハードコミュテーションに対応するため、堅牢な内蔵ボディダイオードを内蔵している。AOSによる評価では、このボディダイオードは接合温度150℃における特定の順方向電流条件下で、1300A/μsのdi/dtに耐えられることが示されている。Avalanche Unclamped Inductive Switching（UIS）耐量および長いShort-Circuit Withstanding Time（SCWT）も確認していて、異常状態においても信頼性の高い動作をサポートする。

　AOTL037V60DE2は量産供給が可能で、1000個注文時の単価は5.58米ドルである。