AIサーバ向け1200V対応SiC MOSFETモジュール、SemiQ：高効率と高電力密度を実現

SemiQは、液冷AIデータセンター向けに、高効率と高電力密度を実現する1200V対応SiC MOSFETモジュール「QSiC Dual3」を発表した。小型化と熱性能向上によって、幅広い高電力用途に対応する。

[EDN]

　SemiQの1200Vハーフブリッジ炭化ケイ素（SiC） MOSFETモジュール「QSiC Dual3」は、液冷AIデータセンターにおける効率および熱設計の要求に対応する製品だ。同シリーズ6製品のうち2製品は、わずか1mΩのRDS_（on）を実現し、62×152mmパッケージで240W/立方インチの電力密度を達成している。これらのモジュールは、高温環境でスイッチング損失をさらに低減するため、並列ショットキーバリアダイオード付き／なしの構成を選択できる。

[クリックで拡大] 出所：SemiQ

　QSiC Dual3は、シリコンIGBTモジュールを最小限の再設計で置き換えられるよう設計されていて、効率を維持しながらサイズと重量を削減する。全てのSiC MOSFETダイは、1350Vを超えるウエハーレベルのゲート酸化膜バーンイン試験によってスクリーニングされている。また、低い接合部-ケース間熱抵抗を備え、小型かつ軽量のヒートシンク採用を可能にする。

　Dual3製品群には、複数の型番が用意されている。

　接合温度範囲は−40℃〜＋175℃で、QSiCモジュールはエネルギー貯蔵システム向けグリッドコンバーター、産業用モータードライブ、無停電電源装置（UPS）、電気自動車（EV）用途にも適している。