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低窒素含有のダイヤモンド基板、イーディーピー:高需要の(100)基板を用意
イーディーピーは、半導体デバイス開発向けに、窒素含有量を0.5ppm以下に低減したダイヤモンド単結晶基板とウエハーを発売する。基板サイズは1×1〜30×30mmで、ウエハーは1インチだ。
イーディーピーは2026年7月、半導体デバイス開発向けに、窒素含有量を0.5ppm以下に低減したダイヤモンド単結晶基板とウエハーを発売すると発表した。主な用途として、パワーデバイスや高周波デバイス、量子デバイス、光学部品向けを見込む。
基板サイズは1×1〜30×30mmで、ウエハーは1インチ、厚さは0.03〜4mm。結晶面は、(100)、(110)、(111)に対応。標準仕様では3度のオフ角を設けていて、(111)面と(110)面はサイズに制限がある。
パワーデバイスや高周波デバイスなどで使用可能
パワーデバイスや高周波デバイス向け基板としては、従来品と同様に使用可能。窒素含有量の低減により、疑似n型としての特性は低下する一方で、耐電圧特性は従来品と同等となる。
量子デバイス用途では、N-Vセンターの含有率が従来品より低くなる。光学部品用途では、500nm以下の波長域における透過率が向上。青色光や紫外光の透過性が改善した。熱伝導率は従来基板と同じ2000W/m・Kで、従来品と同様に取り扱える。
同社はこれまでも(111)基板で低窒素品を提供していた。一方で、デバイス開発で利用が多い(100)基板では、成長時の安定性や欠陥抑制、成長速度を確保すべく窒素を含む材料を採用していた。今回は市場からの低窒素化ニーズに対応し、(100)面を含む製品群を追加した。
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