第3世代MRDIMM用メモリI/Fチップセット、ルネサス：最大16000MT/sの高速データ転送

ルネサス エレクトロニクスは、次世代AIや高性能コンピューティング（HPC）に向けた第3世代MRDIMM用「メモリインタフェースチップセット」を発表した。DDR5ベースのサーバプラットフォームと互換性を保ちながらメモリ帯域幅を25％改善し、最大16000Mトランスファ/秒の高速データ伝送を実現する。

[馬本隆綱，EDN Japan]

既存DDR5基盤を活用しながら、メモリ帯域幅を25％改善

　ルネサス エレクトロニクスは2026年7月、次世代AIやHPCに向けた第3世代MRDIMM用「メモリインタフェースチップセット」を発表した。DDR5ベースのサーバプラットフォームと互換性を保ちながらメモリ帯域幅を25％改善し、最大16000Mトランスファー/秒の高速データ伝送を実現する。

　開発したチップセットは、マルチプレックスレジスタードクロックドライバー（MRCD）、マルチプレックスデータバッファー（MDB）、パワーマネジメントIC（PMIC）シリアルプレゼンス検出（SPD）ハブおよび、温度センサー（TS）で構成される。

　このうち新たに開発したのは、MRCD「RRG5013x」とMDB「RRG5103x」だ。既に一部の顧客向けにサンプル出荷を始めていて、量産開始は2027年下期を予定している。この他、第3世代のチップセットではPMIC「RRG5322」、TS「TS5111」、SPDハブ「SPD5118」を組み合わせて用いる。

　第3世代MRDIMM用メモリインタフェースチップセットは、第2世代品で採用したMRDIMMアーキテクチャを継承しつつ、性能を向上させた。システム状態を可視化して信頼性を高める機能として、DESTM（Device Equalization Self-Train Mode）Quality Atatusを搭載。タイミング調整や受信側イコライゼーショントレーニングの微調整が可能となり、動作マージンを最大化できる。システム全体の電力効率にも配慮した設計となっている。

DDR5 MRDIMM用メモリインタフェースチップセットの一覧とその実装例［クリックで拡大］ 出所：ルネサス