6.5kV SiC MOSFETを開発、NoMIS Power：10kVや20kV SiC IGBTも計画

NoMIS Powerは、8kV超のブロック電圧と90mΩのオン抵抗、55Aのドレイン電流を実現した6.5kV 炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発した。

[EDN]

ブロック電圧8kV超、オン抵抗90mΩ、ドレイン電流55A

　NoMIS Powerは、8kVを超えるブロック電圧、90mΩのオン抵抗、55Aのドレイン電流を実証した6.5kVの炭化ケイ素（SiC） MOSFETを開発した。同社の3.3kVデバイスで採用しているプレーナ型SiC技術をベースとしていて、6.5kV MOSFETによって同技術を高電圧クラスへ拡張するとともに、同社が計画している10kV MOSFETと20kV SiC IGBTの基盤を提供するとしている。

[クリックで拡大] 出所：NoMIS Power

　NoMIS Powerは、米国の顧客向けに6.5kV SiC MOSFETのサンプル出荷を開始した。標準量産品は2026年第4四半期に投入する予定だ。同社は、オン抵抗が異なる製品、小面積ダイMOSFET、ハイブリッド接合障壁ショットキーFET（JBSFET）、単体ダイオードを追加し、6.5kV製品群を拡充する計画だ。用途としては、高電圧直流（HVDC）送電、ソリッドステートトランス、パルスパワーシステム、鉄道車両の駆動、メガワット級電気自動車（EV）充電などを想定する。

　6.5kVデバイスは、既に量産している同社の3.3kV SiC MOSFETファミリーをベースとしている。また10kV以上のMOSFET、ダイオード、JBSFET、SiC IGBTも開発中だ。