キオクシア初のPCIe 6.0対応エンタープライズSSD：第10世代BiCS FLASH TLC採用
キオクシアは、第10世代BiCS FLASH TLCフラッシュメモリを搭載した、エンタープライズSSD「KIOXIA CM10」シリーズを開発した。PCIe 6.0に対応している。
キオクシアは2026年7月、第10世代BiCS FLASH TLCフラッシュメモリを搭載した、エンタープライズSSD「KIOXIA CM10」シリーズを開発した。限定顧客向けにサンプル出荷を開始している。
E3.S、E1.Sモデルは、同社のエンタープライズSSDでは初めてPCIe 6.0に対応した。NVMe 2.1に準拠し、NVMe FDP（Flexible Data Placement）をサポートする。OCP Datacenter NVMe SSD Specification v2.7の一部仕様も満たしている。同社の「KIOXIA CM9」シリーズに比べ、シーケンシャルリード性能が最大約92％、ランダムリード性能が最大約85％向上した。
フラッシュメモリには332層の第10世代BiCS FLASH TLCを採用し、性能と電力効率を高めた。容量は1.60〜61.44Tバイトで、リードインテンシブ向けの1DWPD（Drive Writes Per Day）とミックスユース向けの3DWPDを用意する。
E3.S、E1.Sモデルは直接液冷に対応
フォームファクターはE3.S、E1.S、2.5インチを用意。E3.SとE1.Sの9.5mmモデルは、空冷と直接液冷に対応する。なお、2.5インチモデルはPCIe 5.0、第8世代BiCS FLASH TLCを採用する。
セキュリティ関連ではSIE（Sanitize Instant Erase）、SED（Self-Encrypting Drive）、FIPS SEDのオプションモデルを用意する。FIPS SEDはFIPS 140-3への対応を予定するほか、SPDM v1.4やCNSA 2.0に準拠した耐量子計算機暗号もサポートする。
NVIDIAの「CMX」コンテキストメモリストレージアーキテクチャにも対応。高速なフラッシュストレージを活用し、GPUメモリを拡張するメモリ階層を構築できる。主な用途として、AI推論やコンテキストキャッシュなど、高いストレージ性能が必要なAIおよびエンタープライズワークロードを見込む。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
NAND／NORフラッシュメモリの違いと記録方式を分かりやすく解説
今回はフラッシュメモリの基本的な仕組みやNAND／NOR型の違い、記録方式など網羅的に解説します。
信頼性の高いストレージソリューションを選ぶべき8つの理由
ストレージ製品における産業用グレードとコンシューマーグレードは何が違うのでしょうか。本稿では、これらの違いを明らかにし、産業用途において信頼性の高いフラッシュストレージソリューションを選ぶべき8つの理由を紹介します。
エッジコンピューティングに最適なストレージ製品を選ぶには
エッジコンピューティングはデータの処理方法を根本から変革しています。これに伴いストレージには、高負荷、過酷な環境、長時間稼働といった新たな課題がもたらされています。本稿では、エッジアプリケーションに最適なストレージ製品を選ぶ際に気を付けてほしいポイントを解説します。また、エッジシステムの進展に伴うインタフェースやプロトコルの変化、PCIeとNVMeの役割についても紹介します。
オンデバイスAI向けUFS 5.0対応メモリ、キオクシア
キオクシアは、オンデバイスAIに対応したモバイル機器やエッジデバイス向けに、UFS 5.0対応組み込み式フラッシュメモリの1Tバイトおよび512Gバイト品のサンプル出荷を開始した。
UFS4.1対応の組み込み式QLCフラッシュメモリ、キオクシア
キオクシアは、QLC技術を採用したUFS4.1組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始した。第8世代BiCS FLASHを採用し、前世代品と比べてランダムリード性能が約90％向上している。