オンデマンドセミナー　電源技術 〜基礎から応用まで〜

　カーボンニュートラルなど持続可能な社会の実現に向けて、欠かせないトレンドがデジタルトランスフォーメーション（DX）、デジタル化だ。こうしたDX、デジタル化にはより高性能なCPUやFPGAといったLSIが必要になる。微細プロセスの適用などによってLSIは進化を続けているが、そうした最先端LSIの性能を最大限に引き出すためには、POL（Point of Load／近傍負荷）電源が重要なカギを握る。
　そこで、本動画では、最先端のLSIに向けたPOL電源の高速応答化や小型化、高効率化に向けた最新の電源制御技術を紹介していく。
　さらに新世代のパワーデバイスとして普及が始まっているGaNやSiCパワーデバイスの高速スイッチング損失低減特性を生かし、高効率化を目指す部品内蔵基板実装技術についても解説していく。

※本動画は、2021年6月22日に実施したライブ配信セミナー「小型化、低消費電力への対応は？　次世代デバイスのための電源」（主催：EDN Japan）で配信したものです。

【黒川 不二雄 氏 プロフィール】
　スイッチング電源およびその制御の第一人者であり，DC-DCコンバータ，AC-DCコンバータ，高周波インバータ等を用いた情報通信用電源，太陽電池電源，EV用電源，照明用電源等の40年に渡る研究歴を持つ。
　スイッチング電力変換器の制御に対する貢献でIEEE フェロー賞を受賞。電子情報通信学会および照明学会フェローでもある。再生可能エネルギー国際会議（IJRER）や情報通信用エネルギー国際会議（IEEE INTELEC）等の委員長を歴任している。元長崎大学教授。

本ウェビナーでは、SiC-MOSFETの性能を最大限引き出すために押さえておきたいゲート駆動回路設計でのポイントを紹介していく。

電源設計の初心者は、予期せぬ問題に直面しがちだ。「電流検出にまつわる問題」「降圧レギュレーター回路の入力の出力へのリーク問題」「LDO出力の発振」など実際にあった6つの問題を取り上げ、その対策方法を紹介する。

高精度な電流検出を実現するには4端子抵抗とケルビン・センスを使用するが、4端子抵抗は高価なものになる。そこで、標準的な低価格2端子抵抗を使用しながら、ケルビン・センスに代わる高精度電流検出を実現する方法を紹介する。

従来のシリコーンMOSFETからSiC MOSFETへの切り替えは、電気自動車の急速充電や電源、再生可能エネルギー、送電網インフラなどでの高効率な電力供給を実現している。ただ、この新たな手段は駆動方法がやや異なるため設計時に注意を要する。