オン抵抗54mΩの60V パワーFemtoFETトランジスタ：日本TI CSD18541F5

日本テキサス・インスツルメンツは、60V動作のNチャネルパワーFemtoFETトランジスタを発表した。オン抵抗は54mΩで、従来のロードスイッチに比べ、システムの電力損失を90％削減できる。

[EDN Japan]

実装面積に制約があるアプリケーション向け

NチャネルパワーFemtoFETトランジスタ「CSD18541F5」

　日本テキサス・インスツルメンツ（日本TI）は2016年6月、60V動作のNチャネルパワーFemtoFETトランジスタ「CSD18541F5」を発表した。実装面積に制約があるアプリケーション向けとする。

　SD18541F5は、ゲートーソース電圧10V時に54mΩの低いオン抵抗を可能とし、従来の60V動作のロードスイッチに比べ、最終システムの電力損失を90％削減できる。また、ESD（静電気放電）保護ダイオードを内蔵し、MOSFETのゲートを過電圧から保護できる。

　1.53×0.77mmの3ピンランドグリッドアレー（LGA）パッケージで提供され、従来のSOT-23パッケージのロードスイッチに比べて80％小型化した。実装面積は1.2mm²で、接続パッド間のピッチは0.5mmのため、実装も容易だ。

　既に量産出荷を開始しており、1000個購入時の単価は、0.14米ドルとなっている。