低オン抵抗の1200V耐圧SiC MOSFET新シリーズ：リテルヒューズ LSIC1MO120E01x0

リテルヒューズは、1200VのNチャンネルエンハンスモードSiC MOSFET「LSIC1MO120E0120」シリーズと「LSIC1MO120E0160」シリーズを、2018年3月中旬から販売する。

[EDN Japan]

E0120は120mΩ、E0160シリーズは160mΩと低オン抵抗

　リテルヒューズは2018年3月、1200VのNチャンネルエンハンスモードSiC MOSFET「LSIC1MO120E0120」シリーズと「LSIC1MO120E0160」シリーズを、同月中旬から販売すると発表した。

NチャンネルエンハンスモードSiC MOSFE「LSIC1MO120E0160」

　同製品は、さまざまなタイプの電力変換システムのパワー半導体スイッチとしての用途を想定して設計された。阻止電圧、特定のオン抵抗、接合容量において同様のシリコンMOSFETよりも優れ、オン抵抗はLSIC1MO120E0120シリーズで120mΩ、LSIC1MO120E0160シリーズで160mΩとなる。

　システムレベルでパッシブフィルターの部品点数を削減することで、電力密度を上昇させ、高周波、高効率アプリケーション設計の最適化を図れるようにした。また、超低オン抵抗を伴う超低ゲート電荷と出力容量により、電力消費の抑制、高効率、冷却装置の小サイズ化や簡素化につながるという。

　また、同等の定格電流やパッケージのシリコンIGBTといった従来のパワートランジスタでは得られなかった高い動作電圧と超高速スイッチング速度を兼ね備える。

　主な用途としては、電気自動車、産業用機械、再生可能エネルギー、医療機器、スイッチモード電源、UPS（無停電電源装置）システム、モータードライブ、高電圧DC-DCコンバーターなどを想定している。