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省電力小面積の0.18μmPMIC向けデザインキットタワーセミコンダクター

タワーセミコンダクターは、ハイパワーモノリシックIC向けとして「0.18μmパワーマネジメントICデザインキット」を発表した。電力効率の向上とチップ面積の縮小により、性能とコストを両立できる。

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 タワーセミコンダクターは2020年3月、ハイパワーモノリシックIC向けとして「0.18μmパワーマネジメントICデザインキット」を発表した。顧客はICの電力効率の向上とチップ面積の縮小が可能になり、性能とコストを両立できるようになる。

24Vでオン抵抗6mΩmm2のIC設計が可能に

 新しいパワーマネジメント技術は、同社の「0.18μmパワーマネジメントプラットフォーム」シリーズの第6世代。パワー仕様に対して最小のチップ面積と少ないマスク数を使ったスケーラブルなレイアウト設計を提供する。これにより、パワートランジスタは24Vの動作電圧において、従来の技術と比べて電力効率を35%以上改善し、6mΩmm2の低オン抵抗を達成できる。

 同社は、既に低電圧65nmパワーBCD(Bipolar CMOS DMOS)プロセス、高耐圧140Vリサーフオンバルク、200V SOI(silicon on insulator)技術を有しており、今回のデザインキットにより、1.2〜200Vの動作範囲をカバーすることとなった。新しい技術は前世代とも互換性があり、既存の設計資産も活用できる。

 DC-DCコンバーター、ロードスイッチ、ラップトッププロセッサやファンに使用するPMICとモータードライバの他、コンシューマー、コンピューティング、車載、産業市場で使用するドローンやロボットモータードライバなどの用途を見込む。

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