次世代EVや産業向け第3世代SiCパワーMOSFET：STマイクロ 第3世代SiCパワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクスは、第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。電力密度や電力効率、信頼性を必要とする車載用および産業用途に適する。

[EDN Japan]

　STマイクロエレクトロニクスは2021年12月、第3世代SiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETを発表した。2021年内に量産レベルに達し、650V、750V、1200V耐圧製品を提供する予定だ。まずは650V耐圧の「SCT040H65G3AG」（5.00米ドル）と750V耐圧のベアダイ製品を提供する。

第3世代SiCパワーMOSFET 650V耐圧「SCT040H65G3AG」

双方向の充放電が可能な高速ダイオードを内蔵

　新製品は、第3世代SiCプラットフォームを採用したプレーナ型MOSFETで、優れたトランジスタ効率、電力密度、スイッチング性能を備える。シリコン製品に比べてダイサイズに対する定格電圧が高く、高速ダイオードを内蔵するため、V2X（Vehicle-to-Everything）に必要な双方向の充放電が可能だ。

　高いスイッチング周波数ながら、スイッチング損失と単位面積当たりのオン抵抗が低い。ジャンクション温度は最大200℃で、既存ICと互換性のあるゲートドライバを備える。

　パッケージオプションとして、ベアダイ、ディスクリートパワーパッケージ（STPAK、H2PAK-7L、HiP247-4L、HU3PAK）、パワーモジュール（ACEPACKファミリー）などを用意する。これらのパッケージには冷却タブなど特別な設計がなされており、電気自動車のベースプレートやヒートスプレッダーへの接続を容易にする。

　電力密度や電力効率、信頼性を必要とする車載および産業用途に適している。例えば車載用では、トラクションインバーターやオンボードチャージャー、DC-DCコンバーター、カーエアコン用コンプレッサーなどに対応。産業用では、モータードライブ、再生可能エネルギーシステム、通信やデータセンター用電源などでの利用を見込んでいる。