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ターンオフ損失が前世代品比で半減したSiC MOSFET：オンセミ（onsemi） EliteSiC M3e MOSFET
オンセミ（onsemi）は、同社のSiC（炭化ケイ素）プラットフォームの最新世代となる「EliteSiC M3e MOSFET」を発表した。既にTO-247-4Lパッケージを用いたサンプル品の出荷を開始している。
オンセミ（onsemi）は2024年7月、同社のSiCプラットフォームの最新世代となる「EliteSiC M3e MOSFET」を発表した。TO-247-4Lパッケージを用いたサンプル品の出荷を開始している。
同プラットフォームでは、同社前世代品と比較して導通損失が30％、ターンオフ損失が最大50％低減した。EV（電気自動車）のパワートレインやDC急速充電器、エネルギー貯蔵機器、ソーラーインバーターなどでの用途に適する。
出力電力が約20％増加
相電流も増加していて、前世代品と同一のトラクションインバーターハウジングを用いる場合に出力電力が約20％増加。同じ出力電力とする場合は、SiCの含有量を20％低減できる。
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