低オン抵抗の高速スイッチングパワーMOSFET：トレックス XPJ101N04N8R、XPJ102N09N8R

トレックス・セミコンダクターは、高速スイッチングパワーMOSFET「XPJ101N04N8R」「XPJ102N09N8R」を発表した。低オン抵抗が特徴で、エネルギー損失を抑制し、システム全体の効率向上に寄与する。

[EDN Japan]

　トレックス・セミコンダクターは2025年1月、高速スイッチングパワーMOSFET「XPJ101N04N8R」および「XPJ102N09N8R」を発表した。両製品とも既に量産中で、参考価格はXPJ101N04N8Rが330円、XPJ102N09N8Rが180円（いずれも税込み）だ。

高速スイッチングパワーMOSFET「XPJ101N04N8R」「XPJ102N09N8R」 出所：トレックス・セミコンダクター

低オン抵抗でエネルギー損失を抑制

　両製品とも、DC-DCコンバーターなどの各種電源に適した100V耐圧のNチャンネルMOSFETだ。低オン抵抗が特徴で、XPJ101N04N8Rは最大4.4mΩ、XPJ102N09N8Rは最大9.4mΩだ。これによってエネルギー損失を抑制し、システム全体の効率向上に貢献する。

　主な仕様は、XPJ101N04N8Rのドレイン電流が122A、ゲート総電荷量が40.5nC。XPJ101N09N8Rのドレイン電流が59A、ゲート総電荷量が19nCだ。最大接合温度は150℃

　パッケージは、両製品とも6.0×4.9×1.1mmサイズのDFN5060-8Lを採用している。鉛フリー対応で環境に配慮したという。

　高速スイッチング特性を必要とするDCモーター、汎用インバーター、DCスイッチング電源などの用途に適する。