サーバの高効率化に 低オン抵抗／高耐量のパワーMOSFET：ローム RS7E200BG、RS7N200BH、RS7N160BH

ロームは、低オン抵抗で高耐量のNチャンネルパワーMOSFET「RS7E200BG」「RS7N200BH」「RS7N160BH」を発表した。5.0×6.0mmのDFN5060-8Sパッケージを採用し、同サイズのHSOP8と比較して、パッケージ内のチップ面積が約65％拡大した。

[EDN Japan]

　ロームは2025年2月、低オン抵抗で高耐量のNチャンネルパワーMOSFET「RS7E200BG（30V）」「RS7N200BH（80V）」「RS7N160BH（80V）」を発表した。企業向けの高性能サーバやAIサーバの電源に適する。

パッケージ「DFN5060-8S」 出所：ローム

　3製品とも、パッケージにDFN5060-8Sを採用。サイズは5.0×6.0mmで、同サイズのHSOP8と比較して、パッケージ内のチップ面積が約65％拡大した。オン抵抗は、RS7E200BGのが0.53mΩ、RS7N200BHが1.7mΩ、RS7N160BHが2.2で、サーバの電源回路の高効率化に寄与する。

放熱性、SOA耐量が向上

　パッケージ内部のクリップデザイン形状を見直したことで、放熱性が改善した。SOA耐量も向上していて、アプリケーションの信頼性確保に寄与する。特にRS7E200BGは、パルス幅が1ミリ秒、ドレイン・ソース間電圧が12Vの場合のSOA耐量が70A以上と、既存のHSOP8パッケージ品の2倍に向上している。

　月産100万個体制で量産を開始していて、サンプル価格は1個710円（税別）。12V系統の企業向け高性能サーバ電源のAC-DC変換回路やHSC回路、48V系統のAIサーバ電源のAC-DC変換回路、48V系統の産業機器電源での用途に適する。

　なお、AIサーバのホットスワップコントローラー回路をサポート可能なパワーMOSFETも、同年内に順次量産する予定だ。