電力密度向上に貢献 Q-DPAK／TOLLパッケージのSiC MOSFET：インフィニオン CoolSiC MOSFET 650V

インフィニオン テクノロジーズは、「CoolSiC MOSFET 650V」のディスクリート製品に、Q-DPAKとTOLLパッケージの製品ファミリーを追加した。Q-DPAKパッケージではオン抵抗7mΩ／10mΩ／15mΩ／20mΩ製品、TOLLパッケージでは同10〜60mΩ製品の提供を開始した。

[EDN Japan]

　インフィニオン テクノロジーズは2025年2月、「CoolSiC MOSFET 650V」のディスクリート製品に、Q-DPAKおよびTOLLパッケージの2つの製品ファミリーを追加した。Q-DPAKパッケージではオン抵抗7mΩ／10mΩ／15mΩ／20mΩ製品、TOLLパッケージでは同10〜60mΩ製品の提供を開始している。

DPAKおよびTOLLパッケージの「CoolSiC MOSFET650V」 出所：インフィニオン テクノロジーズ

上面放熱、下面放熱製品をラインアップ

　同社の「CoolSiC Generation 2」技術を採用し、上面放熱および下面放熱のパッケージが含まれる。

　Q-DPAKパッケージは、CoolMOS8、CoolSiC、CoolGaN、OptiMOSを含む、同社の新しい上面放熱製品ファミリーの開発をさらに強化するもので、低コストかつ高い電力密度とシステム効率を備える。95％の直接放熱が可能で、プリント基板の両面を使用することでスペースを効率化し、寄生効果を低減できる。

　TOLLパッケージは、優れた基板上温度サイクル機能を提供し、プリント基板のフットプリントを削減して小型システムの設計を可能にする。スイッチモード電源に使用することで、システムレベルの製造コストの削減も可能となる。

　高電力および中電力スイッチング電源を対象としていて、AIサーバ、再生可能エネルギー、電気自動車（EV）充電器、eモビリティ、ヒューマノイドロボット、テレビ、駆動装置などでの利用を見込む。