高電流密度と低熱抵抗を備えた1200Vパワーモジュール、SemiQ：最大608Aの電流に対応

SemiQは、第3世代QSiC MOSFETポートフォリオとして、1200V対応のSiCパワーモジュールを拡充した。高電流密度と低熱抵抗を特長とし、EV充電器などに対応する。

[EDN]

　SemiQは、第3世代のSiC MOSFET製品「QSiC MOSFET」ポートフォリオの拡充として、高電流密度と低熱抵抗を備えた1200Vパワーモジュールを発表した。新たに7製品を投入し、高電流対応のS3ハーフブリッジモジュール、B2T1構成の6パックモジュール、B3フルブリッジモジュールを用意している。これらは、電気自動車（EV）充電器、エネルギー貯蔵システム、産業用モータードライブのニーズに対応するよう設計されている。

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　このうち2製品は、62mmサイズのS3ハーフブリッジパッケージで最大608Aの電流に対応し、接合部−ケース間の熱抵抗はわずか0.07℃/Wだ。3種類の6パックモジュールは、三相電力ステージをコンパクトな筐体に統合していて、オン抵抗は19.5m〜82mΩ。最適化されたレイアウトと最小限の寄生要素を特長としている。2種類のフルブリッジモジュールは、最大120Aの電流対応能力と、最小8.6mΩのオン抵抗、0.28℃/Wの熱抵抗を兼ね備えている。

　全ての製品は、ウエハーレベルでのゲート酸化膜バーンイン試験を実施し、1350V超での耐圧試験を行っている。第3世代モジュールは、より低いゲート電圧（18V/−4.5V）で動作し、従来世代と比べてオン抵抗とターンオフ時のエネルギー損失を最大30％低減する。

　これらのパワーモジュールは、すでに提供を開始している。