ニュース
高温環境でも安定動作する車載向け100V MOSFET、Diodes:48V BLDCモータードライブの高効率化に
Diodesは、車載システム向け8×8mmガルウイングリードパッケージを採用した40V〜80V対応MOSFET製品群に100V MOSFETを追加した。48V BLDCモーター駆動用途に適し、高温環境でも安定動作する。
Diodesは、車載システム向け8×8mmガルウイングリードパッケージを採用した40V〜80V対応MOSFET製品群に100V MOSFET「DMTH10H1M7SPGWQ」を追加した。最大オン抵抗1.5mΩの「DMTH10H1M7SPGWQ」は、パワーステアリングやブレーキシステムで使用される48V BLDCモータードライブに適している。他の同ファミリー製品と同様に、導通損失を最小化し、発熱を抑えながらシステム全体の効率を最大化する。
採用する「PowerDI8080-5」パッケージは、実装面積64mm2と、従来のTO-263(D2PAK)に比べて約40%小さい。オフボード高さも1.7mmと薄型だ。銅クリップによるダイボンディングによって、熱抵抗は最低0.3℃/Wまで低減。損傷リスクなしに最大847Aのドレイン電流に対応する。ガルウイングリード構造は、自動外観検査に対応し、温度サイクル信頼性も高める。
AEC-Q101認定取得済みで、周囲温度が高い環境向けに+175℃定格に対応する。生産時には100%アンプクランプト誘導スイッチング(UIS)試験を実施し、最終用途での高い堅牢性と信頼性を確保する。
DMTH10H1M7SPGWQの価格は、5000個購入時で1個当たり1.71米ドルだ。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
EV充電向けのSiC MOSFETモジュール
オン・セミコンダクターは、EV充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。プレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧に対応する。
長寿命の1200V SiC MOSFETパワーモジュール、ビシェイ
ビシェイ・インターテクノロジーは、車載やエネルギー、産業、通信システムなどの中〜高周波アプリケーション向けに、1200V SiC MOSFETパワーモジュール「VS-MPY038P120」「VS-MPX075P120」を発表した。4個または6個のMOSFETを搭載する。
従来品に比べスイッチング損失を半減、SJ構造を用いた耐圧600VのMOSFET
インフィニオン テクノロジーズの「CoolMOS C7」シリーズは、スーパージャンクション(SJ)構造を用いたMOSFETの新ファミリである。従来の「CoolMOS CP」シリーズに比べて、オフ時の損失を50%も削減した。
24ビットはオーバースペック?
24ビットは、本当にオーバースペックなのか――。それを判断する方法について解説する。
耐圧30VのpチャネルMOSFET、外形寸法が1.0×1.5mmの製品も
Vishayが発表した耐圧30VのpチャネルMOSFETは、小型パッケージと低オン抵抗を特徴としている。
低飽和電圧の車載向けバイポーラトランジスタ、Diodes
Diodesは超低VCE(sat)を実現する車載対応バイポーラトランジスタを発表した。導通損失を従来比で最大50%削減し、高温環境でも高い信頼性を確保する。
