次世代データセンター向け1200V SiC MOSFET、オン抵抗58％削減：東芝D＆Sがサンプル出荷開始

東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は2026年5月21日、1200V耐圧トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC）MOSFET「TW007D120E」を発表した。独自のトレンチゲート構造の採用によって「単位面積当たりで、業界トップクラスの低オン抵抗」（同社）を実現し、既存製品と比較してオン抵抗を約58％削減している。

[杉山康介，EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は2026年5月21日、1200V耐圧トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC）MOSFET「TW007D120E」の開発を発表した。すでにサンプルの出荷を開始している。高出力AIサーバの普及や800V HVDC（High Voltage Direct Current）アーキテクチャの採用拡大で、これまで以上の高い電力変換効率と高電力密度化が求められる次世代AIデータセンター向け電源システムを主用途としつつ、再生可能エネルギー関連機器への適用も想定する。

TW007D120E 出所：東芝D＆S

　TW007D120Eでは、東芝D＆S独自のトレンチゲート構造の採用によって「単位面積当たりで、業界トップクラスの低オン抵抗」（同社）を実現した。導通損失の削減とスイッチング損失の低減を両立し、同社の第3世代SiC MOSFET「TW015Z120C」と比較してオン抵抗（R_DS（on）A）を約58％、ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量（R_DS（on）×Q_gd）を約52％削減している。

既存製品（TW015Z120C）との特性比較図［クリックで拡大］出所：東芝D＆S

　パッケージは上面放熱に対応した「QDPAK」を採用する。次世代AIデータセンターの電力変換において、パワーステージの高電力密度化実装と高い放熱性能を両立できるという。

　東芝D＆Sは、2026年度中に同製品の量産出荷準備を整えるとともに、さらなるラインアップ拡充および車載用途を含む展開や開発を進めるとしている。