ロームの第2世代テラヘルツ波発振デバイス、出力4倍に:発振出力は最大40μW
ロームは、共鳴トンネルダイオード(RTD)を用いた「テラヘルツ波発振デバイス」の第2世代品を開発した。第1世代品に比べ発振出力を4倍に高めた。第2世代のサンプル品を含む評価キット「RTD-EVK-G2」も用意している。
第2世代のサンプル品を含む評価キットも用意
ロームは2026年8月、共鳴トンネルダイオード(RTD)を用いた「テラヘルツ波発振デバイス」の第2世代品を開発したと発表した。第1世代品に比べ発振出力を4倍に高めた。第2世代のサンプル品を含む評価キット「RTD-EVK-G2」も用意している。
第2世代品は、チップサイズが0.5×0.5mmで第1世代品と同じだが、内部構造を工夫することで発振出力を従来の4倍となる最大40μWに高めた。発振周波数は320GHz(代表値)である。パッケージは外形寸法が4.0×4.3mmのPLCCを採用、第1世代品と同等で「業界最小サイズ」(ローム)とする。
RTD方式を用いているため、他の方式に比べると発熱量が少なく、消費電力も40mW(代表値)と小さい。発振出力が大きいため、被測定物を透過あるいは反射した後のテラヘルツ波を検出しやすいという。このため、高い信号品質が求められるセンシングやイメージングなどの用途に適している。
ロームは、第2世代のサンプル品とケーブル、評価ボードをセットにしたテラヘルツ波デバイス評価キット「RTD-EVK-G2」も用意した。Digilentが販売する計測ツール「Analog Discovery 3」とPC、ソフトウェアを組み合わせて用いれば、比較的簡単にテラヘルツ波の発振および検出を評価することができるという。
RTD-EVK-G2の価格(税別)は35万円。なお、評価キットを購入するには事前にロームとNDA(機密保持契約)を結ぶ必要がある。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
車載安全機能向け、SOA耐量5倍の100V MOSFET
ロームは、車載安全機能や保護回路向けに、100V耐圧MOSFET「RS4P063BPHZG」を開発した。広い電圧範囲で高いSOA耐量を備えたWide-SOA対応品となっている。
650V耐圧で導通損失1.55V、ロームの第4世代IGBT
ロームは、車載向け電動コンプレッサーやHVヒーター、産業機器向けインバーターなどに適した、650V耐圧の第4世代IGBTを開発した。導通損失を1.55Vに抑えている。
実装面積12.8mm2の電源基板、モバイル向けにロームが開発
ロームは、同社の電源IC「BD83070GWL」向けのレファレンス基板「BD83070GWL-EVK-002」を開発した。BD83070GWLとコイル、コンデンサーなど計5点の部品で構成し、実装面積を3.3×3.9mmに抑えている。
オン抵抗30%低減 ロームの第5世代SiC MOSFET
ロームは、車載用電動パワートレインや産業機器向け電源に適した「第5世代SiC MOSFET」を開発した。従来の第4世代品と比較して、175℃時のオン抵抗値を約30%低減している。
高速通信インタフェース向けESD保護ダイオード、ローム
ロームは、10Gビット/秒超の高速通信インタフェース向けに、ESD保護ダイオード「RESDxVx」シリーズを開発した。超低容量と低ダイナミック抵抗を両立し、高いIC保護性能を確保。高速データ通信を用いるアプリケーションに対応する。
スマートリングで採用 ロームのウェアラブル向け無線給電IC
ロームは、小型ウェアラブル機器向けのNFC対応ワイヤレス給電ICチップセット「ML7670」「ML7671」の販売を開始した。最大250mWの給電に対応し、スイッチングMOSFETなどを内蔵している。
![RTD-EVK-G2の外観[クリックで拡大] 出所:ローム](https://image.itmedia.co.jp/edn/articles/2608/05/tm_260805rohm01_w290.jpg)
![第1世代品との比較[クリックで拡大] 出所:ローム](https://image.itmedia.co.jp/edn/articles/2608/05/mm260805_rohm02.jpg)