LDO搭載でゲート駆動電圧安定化、650V GaNパワーSiP：実装面積削減に寄与

STマイクロエレクトロニクスは、650Vのエンハンスメント型窒化ガリウム（GaN）トランジスタとドライバー回路を集積したパワーSiP（System in Package）「MasterGaN7」シリーズを発表した。電源アダプターや充電器などの効率向上に貢献する。

[EDN Japan]

　STマイクロエレクトロニクスは2026年10月、650Vのエンハンスメント型窒化ガリウム（GaN）トランジスタとドライバー回路を集積したパワーSiP（System in Package）「MasterGaN7」シリーズを発表した。すでに出荷を開始していて、1000個購入時の単価は3.83米ドルからだ。

MasterGaN7［クリックで拡大］出所：STマイクロエレクトロニクス

LDO新採用でゲート駆動電圧を安定化

　GaN採用パワーSiP「MasterGaN」ファミリーの新製品で、ハーフブリッジ構成で接続された2つの650V GaNトランジスタと、高耐圧／高周波のゲートドライバーをQFNパッケージ（9×9mm）に集積している。最新世代のGaN技術により高速動作と高効率化を実現するとともに、LDOレギュレーターを新たに採用し、ゲート駆動電圧を安定化させることで最適なスイッチング性能を実現した。

　45ナノ秒の伝播遅延と超高速のウェイクアップ時間、短い最小オンによって最大2MHzのスイッチング周波数に対応する。小型の外付け磁気部品や受動部品のみで構成でき、実装面積や部材コスト削減、電力密度向上に寄与する。超高速ウェイクアップに対応したピン制御のシャットダウン・モードにより、無負荷時の消費電力を最小化する。

　ハイサイドドライバーへの電源供給用にブートストラップダイオードも内蔵。アクティブクランプフライバックコンバーターや非対称型ハーフブリッジコンバーター、反転型降圧コンバーター、LLC共振コンバーター、力率改善（PFC）コンバーター、DC-ACインバーターなど多様な回路構成に対応する。貫通電流を防止するインターロックや低電圧ロックアウト（UVLO）、サーマルシャットダウンなどの保護機能も集積した。動作温度範囲は−40〜＋125℃だ。

　評価ボード「EVLMG7」も提供されている。ピン配置と実装面積は他のMasterGaN製品と共通で、電源アダプターや充電器、産業用照明機器、太陽光発電システム用マイクロインバーターなどのアプリケーションでの使用を想定する。

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