12nm採用アナログインメモリコンピューティングSoC：マルチレベルRRAM技術ベース

TetraMemが、マルチレベル抵抗変化型メモリ（RRAM）技術をベースとした、12nmプロセス採用のアナログインメモリコンピューティング（A-IMC）SoC「MLX300」のテープアウトを完了した。

[EDN]

50TOPS/Wを超える電力効率目指す

　TetraMemが、マルチレベル抵抗変化型メモリ（RRAM）技術をベースとした、12nmプロセス採用のアナログインメモリコンピューティング（A-IMC）SoC（System on Chip）「MLX300」のテープアウトを完了した。同チップは、Synopsysのクラウドサービス「Synopsys Cloud FlexEDA」を通じて提供されるEDAソフトウェアを使用して開発された。これによって、マルチレベルRRAMを用いたAIチップの開発が、先端FinFETプロセスへと拡大した。

[クリックで拡大] 出所：TetraMem

　MLX300のテープアウトに先立ち、TetraMemは2026年に商用22nmプロセスを使用した多値RRAMベースのA-IMC SoC「MLX200／MLX200M」のフルマスクテープアウトを完了している。

　TetraMemのアーキテクチャは、電力当たりの性能を向上させ、データ移動を削減しながら、拡張性の高いAIアクセラレーターの開発を可能にする。MLX300は、このアーキテクチャを採用したシングルチップのアクセラレーターで、音声、画像認識、小規模言語モデルを対象としている。モデルの重みを格納するための外部DRAMを必要とせず、最大6400万個のINT4パラメーターをチップ上でサポートする。TetraMemによると、同SoCは50TOPS/Wを超える電力効率を目標としている。