低オン抵抗の高速スイッチングパワーMOSFET オン抵抗を30%低減、100V耐圧のNチャネルMOSFET 電力損失を約15%削減 産業用LV100タイプ1.2kV IGBTモジュール 「STripFET F8」で電力効率が向上 40VパワーMOSFET スイッチング損失を大幅削減、高電圧機器向けSiC-SBD 絶縁耐圧が従来比1.5倍 1.7kV耐圧のパワー半導体モジュール 検出抵抗なしで車載モーター駆動回路を制御 8チャンネルゲートドライバー