低オン抵抗の30V耐圧NチャンネルパワーMOSFET：ビシェイ SiSS52DN

ビシェイ・インターテクノロジーは、30V耐圧NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET「SiSS52DN」を発表した。絶縁、非絶縁型トポロジー向けに高電力密度と高効率を提供する。

[EDN Japan]

　ビシェイ・インターテクノロジーは2021年5月、30V耐圧NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET「SiSS52DN」を発表した。絶縁、非絶縁型トポロジー向けに高電力密度と高効率を提供する。サンプルおよび製品出荷を開始していて、量産品の標準納期は12週間としている。

スイッチング性能指数を前世代から29％改善

　ドレインソース間電圧は30V、ドレイン電流は162A。オン抵抗（代表値）は、10Vで0.95mΩ、4.5Vで1.5mΩだ。4.5V時のスイッチング性能指数（FOM、オン抵抗とゲート電荷の積）は29.8mΩ×nCで、前世代のデバイスと比べて29％改善した。電力変換アプリケーションにおける導電損失とスイッチング損失を低減できる。耐熱性を強化したPowerPAK 1212-8Sパッケージを採用し、大きさは3.3×3.3mmになる。

30V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「SiSS52DN」

　同期整流、同期バックコンバーター、DC-DCコンバーター、スイッチタンクトポロジー、OR-ring FETのローサイドスイッチングや、サーバ、テレコム、RF装置の電源用ロードスイッチなど、幅広い用途に適する。