100mWの高出力DFBレーザーダイオードチップ：古河電気工業 DFB LDチップ

古河電気工業は、100mWの高出力DFBレーザーダイオードチップの量産を開始する。チップ温度75℃時の電力変換効率は、同社従来品の16％から22％に向上した。

[EDN Japan]

　古河電気工業は2023年9月、100mWの高出力DFB（分布帰還型）レーザーダイオード（LD）チップを量産化すると発表した。電力変換効率は、同社従来品の16％から22％に向上している。量産開始は2024年1月から。

DFBレーザーダイオードチップ 出所：古河電気工業

100mWの高い光出力

　同社のInP（インジウムリン）半導体チップ技術を用いて開発したもので、100mWの高い光出力を可能にした。チップ温度75℃時の電力変換効率は22％で、800Gビット/秒超の大容量通信に対応する光トランシーバーへの適用やデータセンターのエネルギー消費量の削減に寄与する。

駆動電流−光出力比較（チップ温度75℃） 出所：古河電気工業

電力変換効率比較（チップ温度75℃） 出所：古河電気工業

　動作温度範囲は−5〜＋75℃、ピーク波長は1271、1291、1311、1331nm、サイドモード抑圧比は最小35dB。ビーム広がり角は、垂直方向が22度、水平方向が18度だ。

　同社は、2022年9月に100mWのDFB LDチップの自社開発を発表していて、今回の量産開始に至った。