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100mWの高出力DFBレーザーダイオードチップ:古河電気工業 DFB LDチップ
古河電気工業は、100mWの高出力DFBレーザーダイオードチップの量産を開始する。チップ温度75℃時の電力変換効率は、同社従来品の16%から22%に向上した。
古河電気工業は2023年9月、100mWの高出力DFB(分布帰還型)レーザーダイオード(LD)チップを量産化すると発表した。電力変換効率は、同社従来品の16%から22%に向上している。量産開始は2024年1月から。
100mWの高い光出力
同社のInP(インジウムリン)半導体チップ技術を用いて開発したもので、100mWの高い光出力を可能にした。チップ温度75℃時の電力変換効率は22%で、800Gビット/秒超の大容量通信に対応する光トランシーバーへの適用やデータセンターのエネルギー消費量の削減に寄与する。
動作温度範囲は−5〜+75℃、ピーク波長は1271、1291、1311、1331nm、サイドモード抑圧比は最小35dB。ビーム広がり角は、垂直方向が22度、水平方向が18度だ。
同社は、2022年9月に100mWのDFB LDチップの自社開発を発表していて、今回の量産開始に至った。
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