突入電流耐量を強化した650V対応SiC SBD、トレックス：6／8／10A品を用意

トレックス・セミコンダクターは、突入電流やサージ電流に対する耐量を高めた650V対応の炭化ケイ素（SiC）ショットキーバリアダイオード（SBD）「XBSC41」「XBSC42」「XBSC43」シリーズを発表した。

[EDN Japan]

　トレックス・セミコンダクターは2026年1月、突入電流やサージ電流に対する耐量を高めた650V対応の炭化ケイ素（SiC）ショットキーバリアダイオード（SBD）「XBSC41」「XBSC42」「XBSC43」シリーズを発表した。すでに量産中で、参考価格は474円（税込）だ。

SiC SBD「XBSC41」「XBSC42」「XBSC43」シリーズ 出所：トレックス・セミコンダクター

　新シリーズでは、低逆回復特性によりスイッチング損失を抑え、高効率な電力変換が可能だ。電流レンジを6A、8A、10Aと幅広く用意していて、回路条件や要求電力に応じて柔軟に選択できる。

突入電流耐量を強化

　性能指数（FOM）を小さく抑える設計を採用するとともに、サージ順電流（IFSM）耐量を強化した。電源投入時の突入電流や過酷なサージ電流が発生する環境下において、動作の安定化に寄与する。

左＝FOM、右＝IFSM［クリックで拡大］ 出所：トレックス・セミコンダクター

　SiCデバイスが有する高速スイッチング特性や低損失性能に加えて、スタートアップ時や突入電流発生時にも余裕を持った設計を可能にした。スイッチング電源や白物家電、汎用インバーターといった機器への適用を想定する。パッケージは、10.29×28.69×4.75mmのTO-220ACを採用した。