AIサーバの熱課題に対応、AOSの両面冷却型MOSFET：高電力密度と放熱性を向上

Alpha and Omega Semiconductorの両面冷却パッケージ採用MOSFETは、高電力密度と優れた熱特性を実現し、AIサーバーやデータセンターの熱課題に対応する。

[EDN]

　Alpha&Omega Semiconductor（AOS）は、25Vの「AONC40212」と80Vの「AONC68816」という2種類のMOSFETを発表した。いずれも3.3×3.3mmのソースダウンDFNパッケージで、両面冷却に対応している。このパッケージは、DC-DC中間バスコンバーターにおける高電力密度を支え、AIサーバーやデータセンターの厳しい熱要件に対応する。

[クリックで拡大] 出所：Alpha & Omega Semiconductor（AOS）

　これらのMOSFETは、露出ドレイン上に最適化されたトップクリップ設計を採用していて、両面からの熱伝導により効率的に熱を除去する。単面冷却デバイスと比較して、この方式は熱ストレスと熱の蓄積を低減。大型トップクリップにより最大熱抵抗は0.9℃/Wと低く抑えられ、過酷な用途における熱性能を向上させている。

　AONC40202およびAONC68816 MOSFETは、それぞれ25℃において連続ドレイン電流405Aおよび119Aをサポートし、パルス電流は最大で644Aおよび476Aに達する。オン抵抗は25V品で最大0.7mΩ、80V品で4.7mΩで、接合温度は最大175℃まで対応する。両デバイスともに底面側の熱抵抗は1.1℃/Wだ。

　これらの製品は既に入手可能で、リードタイムは14〜16週間。価格は1000個購入時で、それぞれ1.85米ドルおよび1.95米ドルだ。