最新世代プロセス採用の80V耐圧NチャネルパワーMOSFET、東芝：AIデータセンターの高効率化に

東芝デバイス＆ストレージの「TPM1R408RH」は、オン抵抗と性能指数を改善した80V NチャネルMOSFETである。電源の電力損失を低減し、高電力密度化に貢献する。

[EDN]

　東芝デバイス＆ストレージの80V NチャネルMOSFET「TPM1R408RH」は、最新の低耐圧プロセス「U-MOS11-H」を採用している。デバイス構造を最適化することで、ドレイン・ソース間オン抵抗（R_DS（on））は1.4mΩを実現した。これは、前世代の「U-MOS X-H」プロセスを採用した80V品「TPM1R908QM」と比べて約26％低減している。また、R_DS（on）とゲート電荷（Q_g）のトレードオフも改善し、性能指数（Figure of Merit：FoM）をTPM1R908QM比で約45％低減した。

[クリックで拡大] 出所：東芝デバイス＆ストレージ

　これらの改善によって、AIデータセンターや通信基地局など産業機器向けスイッチング電源の電力損失を低減できる。また、スイッチング時のドレイン−ソース間電圧スパイクを抑制し、電磁妨害（EMI）も低減する。これにより、設計終盤での手戻りを最小限に抑えられるほか、フィルター回路やスナバ回路の設計も容易になる。

　パッケージには「SOP Advance（E）」を採用した。同社従来の「SOP Advance（N）」パッケージと比べて、パッケージ抵抗を約65％、熱抵抗を約15％それぞれ低減している。これにより、導通損失を低減するとともに放熱性能を向上し、小型電源設計で高い電力密度を実現できる。