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Infineon、宇宙向けに耐放射線GaNゲートドライバー：宇宙用途のGaN移行を容易に
Infineon Technologiesは、宇宙／衛星用途向けの耐放射線窒化ガリウム（GaN） HEMTゲートドライバー「RIC70115」を発表した。シリコンFETとGaN HEMTの両方をサポートし、GaNへの移行を容易にする。
衛星および宇宙用途に必要な耐放射線性能と長期信頼性
Infineon Technologiesの窒化ガリウム（GaN） HEMTゲートドライバー「RIC70115」は、衛星および宇宙用途に必要な耐放射線性能と長期信頼性を備えている。ローサイドおよびハイサイド構成でシリコンFETとGaN HEMTの両方をサポートし、シリコンからGaNへの移行を容易にする。
RIC70115は、−55〜＋125℃の温度範囲で動作する。線形エネルギー付与（LET）81.9MeV・cm2/mgまでのシングルイベント効果と、最大100krad（Si）の総電離線量（TID）について特性評価を実施している。独立したミラークランプ機能によって、寄生効果による誤動作を防ぎながらスイッチング速度を維持し、スイッチング損失を低減する。また、完全差動入力ロジックによってコモンモードノイズを除去し、EMIおよびRFIの影響を最小限に抑える。
内蔵の低ドロップアウト（LDO）レギュレーターは、5Vまたは12V電源から高精度な4.8Vの駆動電圧を生成し、4.75〜15Vの電源電圧範囲に対応する。RIC70115は、1.5Aのソース電流と2.5Aのシンク電流を供給し、伝搬遅延のばらつきは最大2.9ナノ秒だ。
RIC70115は、気密封止された16ピンLCCパッケージ、またはダイ製品として提供される。
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