3300V対応SiC MOSFETリレー、Aratas America：低リーク電流と高速スイッチング実現

Aratas Americaの「G3VH」は、1800Vまたは3300Vの高電圧スイッチングに対応する炭化ケイ素（SiC）MOSFETリレーだ。低リーク電流と高速スイッチングを実現し、半導体テスト装置などに適する。

[EDN]

半導体テスト装置などに向け

　Aratas Americaの炭化ケイ素（SiC）MOSFETリレー「G3VH」は、1800Vまたは3300Vの負荷電圧を必要とする高電圧スイッチング用途に対応する。SiC MOSFET技術により、電力損失と発熱を最小限に抑えながら、低漏れ電流と高速スイッチングを実現する。

[クリックで拡大] 出所：Aratas America

　G3VHリレーは、半導体テスト装置、バッテリーマネジメントシステム、計測機器など、精密な高電圧スイッチングが求められる用途に適している。基板実装端子または表面実装端子を備えた6ピンDIPパッケージで提供され、機器の小型化に貢献する。

　1800V品と3300V品の連続負荷電流は、それぞれ30mAと300mAで、リレーが開いているときの最大リーク電流は、それぞれ10μAと1μAだ。最大ターンオン時間は1800V品が1ミリ秒（ms）、3300V品が2msで、ターンオフ時間は両製品とも0.2msだ。オン抵抗は1800V品が200Ω、3300V品が5Ωだ。なおこれらの仕様は、入力電流が10mA、負荷電流が各製品の連続負荷電流で、負荷電流の印加時間が1秒未満という条件で測定された値だ。