上面冷却で高電力密度化、AOSの600V耐圧MOSFET：熱性能と信頼性を向上

Alpha & Omega Semiconductor（AOS）は、上面冷却型パッケージを採用した600V耐圧のスーパージャンクションMOSFETを発売した。電気経路と熱経路を協調して最適化することで、電力密度を高めている。

[EDN]

スーパージャンクションMOSFET「αMOS E2」製品

　Alpha＆Omega Semiconductor（以下、AOS）は電気経路と熱経路を協調して最適化した上面冷却型パッケージを採用し、電力密度を最大化する600V耐圧MOSFET「AOGT037V60DE2」と「AOGT060V60DE2」を発売した。同社のスーパージャンクションMOSFET「αMOS E2」製品で、高速ボディーダイオードを内蔵。これにより、高ストレスが加わる用途で堅牢性を高めるとともに、逆回復電荷量（Q_rr）を低減する。

[クリックで拡大] 出所：AOS

　AOGT037V60DE2は、ゲート−ソース間電圧（V_GS）が10Vのとき、最大オン抵抗（R_DS（ON））が37mΩ、標準ゲート電荷量（Q_g）が146nCだ。AOGT060V60DE2は、同じ条件でそれぞれ60mΩ、85nC。両製品とも高いアバランシェ耐量と突入電流への対応能力を備え、広い安全動作領域（SOA）を実現する。

　AOSは、αMOS E2シリコンと同社の「GTPAK」パッケージを組み合わせている。上面冷却パッドによって熱性能を向上させる一方で、ガルウイング形状のリードによって、基板実装時の信頼性も高めた。また、動的な動作条件下でも安定した動作を確保するため、MOSFETのセルフターンオンを防止する設計を採用している。

　主な用途として、整流器、太陽光発電用インバーター、モータードライブ、産業用電源システムなどを想定する。対応する回路トポロジーには、昇圧PFC（力率改善）、トーテムポールPFC、LLC共振、PSFB（位相シフトフルブリッジ）、サイクロコンバーターなどがある。

　AOGT037V60DE2（600V、37mΩ）とAOGT060V60DE2（600V、60mΩ）は現在、量産数量で供給していて、リードタイムは16週間だ。1000個購入時の単価はそれぞれ6米ドル、3米ドルだ。