サブギガ帯通信向けアンテナなどを集積したバラン：STマイクロ BALF-SPI2-01D3

STマイクロエレクトロニクスは、868M〜927MHz帯向けの低消費電力無線トランシーバー「S2-LP」向けに最適化したバラン「BALF-SPI2-01D3」を発表した。2.1×1.55mmのチップスケールパッケージで提供される。

[EDN Japan]

実装面積を従来比96％以上削減

　STマイクロエレクトロニクスは2018年1月、868M〜927MHz帯向けの低消費電力無線トランシーバー「S2-LP」向けに最適化したバラン「BALF-SPI2-01D3」を発表した。現在量産中で、500個購入時の単価は約0.176米ドル。2.1×1.55mmのチップスケールパッケージで提供される。

無線トランシーバー「S2-LP」向けバラン「BALF-SPI2-01D3」

　実装面積が3.26mm²と小型ながら、サブギガ帯通信向けアンテナやS2-LP無線トランシーバーの接続に必要なインピーダンス整合回路、フィルター部品を1チップに集積している。

　従来の回路は、キャパシターやインダクターなど多くのディスクリート部品を使用するため、最大100mm²の基板面積を必要としていた。これをBALF-SPI2-01D3に置き換えることで、実装面積を96％以上削減できる。

　テストおよび検証済みの推奨実装方法を用意しており、RF性能を最大化する回路をすぐに再現できる。動作温度範囲は−40〜105℃。IoT（モノのインターネット）センサーやスマートメーター、警報装置、リモコン、ビル自動化システム、産業用制御機器などでの用途を見込む。