ニュース
Nexperia 50μAツェナーダイオード::Nexperia 50μAツェナーダイオード
Nexperiaは、公称動作電圧1.8〜75Vの「50μAツェナーダイオード」製品群を発表した。表面実装をはじめ、さまざまなパッケージオプションを用意する。低バイアスのポータブルバッテリー駆動機器に適する。
Nexperiaは2022年1月、公称動作電圧1.8〜75Vの「50μAツェナーダイオード」製品群を発表した。表面実装(SMD)をはじめ、さまざまなパッケージオプションを用意する。モバイル、ウェアラブル、車載、産業アプリケーション用途の低バイアスのポータブルバッテリー駆動機器に適する。既にサンプル出荷と量産を開始している。
新製品の非繰り返しピーク逆消費電力は40W以下、総消費電力は300mW以下で、低ダイナミック抵抗が特徴だ。また、AEC-Q101とISO/TS16949車載品質規格に適合した「Q」シリーズも用意している。
SOT23(BZX8450)、SOD323(BZX38450)、SOD523(BZX58550)のSMDパッケージ、DFN1006BD-2(BZX8850S)のリードレスパッケージを選択可能で、パッケージごとに動作電圧の異なる40種類をラインアップする。
サイドウェッタブルフランク採用の小型DFNリードレスパッケージも用意
中でも、DFNパッケージ品は、1.0×0.6×0.47mmと小型で、リード付きパッケージと比べて最大60%実装スペースを削減できる。また、サイドウェッタブルフランク(SWF)を採用し、自動光学検査(AOI)が利用できる。さらに、高い全許容損失(Ptot)、リード付き製品より低い動作温度と、システムの信頼性向上にも貢献する。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
- 産業向け650V SiCショットキーダイオード
Nexperiaは、産業用電力変換アプリケーション向けSiCショットキーダイオード「PSC1065H(-J/-K/-L)」を発表した。エネルギー損失を抑え、ピーク繰り返し逆電圧(VRRM)は650V、連続順方向電圧(IF)は10Aだ。 - USB4接続向けの双方向ESD保護ダイオード
Nexperiaは、USB4標準インタフェース向けの双方向ESD保護ダイオード「PESD5V0R1BxSF」を発表した。最高40Gビット/秒のUSB4に対応するノートPCや周辺機器、スマートフォンなどポータブル電子機器での利用を見込む。 - 5G、48Vサーバに適した特定用途向けMOSFET
Nexperiaは、特定用途向けMOSFET(ASFET)として、80V耐圧の「PSMN4R2-80YSE」と100V耐圧の「PSMN4R8-100YSE」を発表した。同社の前世代品と比較して、安全動作領域を166%拡大した。 - 低オン抵抗、高電力密度の40V MOSFET
Nexperiaは、40VパワーMOSFETの新製品として、車載向けの「BUK7S0R5-40H」と産業機器向けの「PSMNR55-40SSH」を発表した。オン抵抗が0.55mΩと低く、電力密度も向上している。 - 定格40Vの車載向けハーフブリッジMOSFET
ネクスペリアは、定格40Vの車載向けハーフブリッジMOSFET「BUK7V4R2-40H」「BUK9V13-40H」を発表した。MOSFET間を内部クリップ接続することで、寄生インダクタンスを60%低減し、基板上の配線も不要なため、実装面積を30%削減できる。 - 車載、高電圧回路向け80V抵抗内蔵トランジスタ
ネクスペリアは、48V車載システムや高電圧バス回路向けに、80V抵抗内蔵トランジスタ「NHDTx」「NHUMx」シリーズ42製品を発表した。従来の50V製品と同等のバイアス抵抗を採用しつつ、大きなスパイクやパルスにも対応できる。