AIスマホなど次世代機器向け UFS 4.1対応組み込み式フラッシュメモリ：電力効率／性能／ビット密度を向上

キオクシアは、オンデバイスAI機能を搭載したハイエンドスマートフォンなどの次世代モバイル機器向けに、UFS4.1対応の組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始した。

[EDN Japan]

　キオクシアは2025年7月、オンデバイスAI機能を搭載したハイエンドスマートフォンなどの次世代モバイル機器向けに、UFS4.1対応の組み込み式フラッシュメモリのサンプル出荷を開始したと発表した。従来品よりライト／リード性能と電力効率が向上し、低消費電力かつ、データダウンロードの高速化やアプリ動作の円滑化を達成している。

UFS 4.1対応の組み込み式フラッシュメモリ製品 出所：キオクシア

第8世代BiCS FLASH 3次元フラッシュメモリを採用

　同製品は、CMOS directly Bonded to Array（CBA）技術を活用した第8世代BiCS FLASH 3次元フラッシュメモリを採用。CBA技術によって、電力効率、性能、ビット密度が大幅に向上した。BiCS FLASHとコントローラーは、JEDEC規格のBGAパッケージに収納した。

　256Gバイト、512Gバイト、1Tバイトを用意していて、従来品比で512Gバイトおよび1Tバイトモデルのランダムライト速度が約30％、ランダムリード速度は512Gバイトが約45％、1Tバイトが約35％向上した。電力効率は、512Gバイトおよび1Tバイトモデルでリードが約15％、ライトが約20％向上している。

　ホスト主導のデフラグメンテーション機能によって、ガベージコレクションの実行タイミングを制御し、重要な場面での高速性能を維持できる。WriteBoosterバッファーのリサイズ機能により、パフォーマンスを最適化する柔軟性も向上した。1TBモデルでは、前世代品よりパッケージ高さを削減した。