高サージ電流耐量の3300V SiC MOSFETモジュール：第3世代SiC MOSFET搭載

東芝デバイス＆ストレージは、同社の第3世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETチップを搭載した3300V／800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「IX800FXF2YMS4」を発表した。SiCチップ設計の最適化により、I2t特性として300kA2sを実現している。

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2026年9月、同社の第3世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETチップを搭載した3300V／800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「IX800FXF2YMS4」を発表した。

IX800FXF2YMS4［クリックで拡大］出所：東芝デバイス＆ストレージ

SiC設計の最適化で高サージ電流耐量を実現

　近年、鉄道車両や再生可能エネルギー発電システム、電力変換システムなどの産業用機器ではシステムの信頼性向上の要求が高まっている。異常時にはパワー半導体モジュールに大きなサージ電流が流れる可能性があることから、十分なサージ電流耐量が求められる。

　新製品の「IX800FXF2YMS4」では、搭載するSiCチップ設計の最適化により、異常時にダイオード部に流れるサージ電流への耐量の指標であるI²t特性として300kA²sを実現した。

　電気特性として、ドレイン・ソース間オン電圧（センス端子）は1.4V（typ.）に抑えた。ターンオンスイッチング損失は185mJ（typ.）、ターンオフスイッチング損失は175mJ（typ.）とし、導通損失およびスイッチング損失の低減に寄与する。これらの特長により、機器の高信頼性化、高効率化、冷却装置の小型化に貢献する。

　パッケージには取り付け互換性に優れたiXPLVを採用する。銀（Ag）焼結接合技術を適用したことで、SiCチップとの接合部の耐熱性と信頼性を高め、チャネル温度定格175℃を実現した。新製品により、同社のiXPLVパッケージ採用SiC MOSFETモジュールのラインアップは計4製品になった。

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