「パワー半導体」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

日清紡マイクロデバイス NR1644シリーズ：
大電流／低電圧の民生機器向け　LDOボルテージレギュレーター
日清紡マイクロデバイスは、民生機器向けLDOボルテージレギュレーター「NR1644」シリーズを発売した。低ノイズかつ高リップル除去率で、0.4Vの低出力電圧で最大2Aの大電流を供給できる。（2025/3/21）

エプソン S1A00210B：
必要な機能を1チップに集積、小型機器向けPMIC
セイコーエプソンは、補聴器など小型機器向けのパワーマネジメントIC「S1A00210B」を発表した。1チップに受電、充電、電源供給、バッテリー保護、フラッシュROMなど必要な機能を集約している。（2025/3/18）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
世界マイコン市場ランキングで「史上初の1位」になったInfineon
2023年の「車載マイコン市場トップ」発表に続き……（2025/3/17）

組み込み開発ニュース：
パワー半導体のスイッチング損失を3割削減できるゲート駆動回路、適用範囲が5倍に
東京大学 生産技術研究所は、同研究所 教授の高宮真氏らの研究グループが開発したパワー半導体のスイッチング損失を自動で低減する技術の適用範囲を大幅に拡大することに成功したと発表した。（2025/3/17）

セミナー：
PR：Avnet Tech Day 2025 - 未来を切り拓く！ 最新半導体技術によるEdge AIの実現
（2025/3/14）

NXPがS32K5ファミリーを発表：
ゾーンSDVアーキテクチャを進化させる車載MCU
NXP Semiconductorsは、さまざまなゾーンSDV（ソフトウェア・デファインド・ビークル）アーキテクチャに対応できる車載マイクロコントローラ（MCU）「S32K5ファミリー」を発表した。（2025/3/14）

高出力領域で拡大へ：
ついにAIサーバに、次は車載へ　GaNパワー半導体で攻めるローム
急速な成長を続ける窒化ガリウム（GaN）パワー半導体市場での展開で、ロームが新たな段階に入った。これまでは民生機器向けが中心だったが、AIサーバ用電源ユニットに初採用されたことを皮切りに、車載などのハイパワーアプリケーションでの採用拡大を狙う。（2025/3/11）

2025年度上期に本格稼働：
東芝D＆S、姫路の車載パワー半導体後工程新棟が完成
東芝デバイス＆ストレージの姫路工場（兵庫県太子町）で建設していた車載パワー半導体後工程新製造棟が完成した。今後装置の搬入を進め、2025年度上期から本格的な生産を開始する予定だ。（2025/3/7）

2025年8月にサンプル出荷開始：
補聴器など小型機器用PMIC、電源管理機能を1チップに集積
セイコーエプソンは、小型電子機器に向けたパワーマネジメントIC（PMIC）「S1A00210B」を開発、2025年8月よりサンプル出荷を始める。補聴器や集音器、スマートリングなどの用途に向ける。（2025/3/6）

材料技術：
三菱電機が環境向け研究開発を披露　ノウハウなしで静電選別が行える検証機とは？
三菱電機は、兵庫県尼崎市の先端技術総合研究所で「グリーン関連研究開発事例 視察会」を開催し、オペレーションのノウハウなしで静電選別が行える検証機を披露した。（2025/3/5）

AIからスピントロニクスまで：
半導体業界 2025年の注目技術
編集部が選んだ2025年の注目技術を紹介する。（2025/3/3）

26年には8インチ化も：
ロームが25年に第3世代GaN HEMT量産へ　TSMCとQoss改善
ロームは、650V耐圧GaN HEMTの第3世代を2025年に量産開始する。高いGaNプロセス技術を有するTSMCと共同で、スイッチング損失低減に関わる出力電荷量（Qoss）の改善に取り組んでいて、第3世代品では現行品からQossを大幅に削減する。また、2026年には、GaNパワー半導体製造の8インチ化も計画する。（2025/2/27）

FLOSFIA出身CEOの再挑戦：
三拍子そろった好材料　次なるパワー半導体「二酸化ゲルマニウム」の可能性
SiCやGaNのさらに次の世代のパワー半導体材料として期待される二酸化ゲルマニウム。その社会実装を目指す立命館大学発のスタートアップ、Patentixで社長兼CEOを務める衣斐豊祐氏と、Co-CTO（共同最高技術責任者）を務める金子健太郎氏に話を聞いた。（2025/2/27）

260℃でも強固な接合強度を発揮：
PR：700℃以上の耐熱性を発揮する「新接合材料」　次世代パワー半導体の接合技術に革新をもたらす
次世代パワー半導体の製造を革新する可能性を持つ接合材料が登場した。千住金属工業が開発した「NFTLP接合材料」だ。接合中に融点が上がり、最終的に接合温度以上の耐熱性を発揮する。耐熱温度は700℃以上と極めて高く、260℃でも十分な接合強度を維持できることを確認している。どのような接合材料なのだろうか。（2025/3/4）

電動化：
デンソー電動開発センターの全貌、「スピード開発」で開発期間を2分の1に
デンソーが安城製作所内にある電動開発センターを報道陣に公開。従来比で開発期間を2分の1に短縮するという「スピード開発」を目標に掲げ、さまざまな取り組みを推進している。（2025/2/20）

6G通信用でRF半導体需要が拡大：
化合物半導体市場、2031年に7兆9920億円規模へ
化合物半導体の世界市場は、2024年見込みの4兆4584億円に対し、2031年には7兆9920億円規模に達する。今後はLEDチップやパワー半導体が市場拡大に寄与する。富士キメラ総研が市場調査し、2031年までの予測を発表した。（2025/2/20）

ニッチ領域でトップ狙う：
PR：「とがった技術の掛け算」で小さく攻めて、大きな価値の創造へ――ミネベアミツミが半導体事業を加速
ミネベアミツミがアナログ半導体事業を強化している。独自性の強い技術を磨き上げ、さらにそれらを掛け合わせた相乗効果によって付加価値を高めた製品で、ニッチ領域を狙う。同社で常務執行役員 半導体部門長を務める矢野功次氏は「大海原ではなく“湖”でトップを目指す」と強調する。矢野氏に同社半導体事業の強みと戦略を聞いた。（2025/2/19）

フィラッハ工場から：
8インチSiCウエハーのパワー半導体を25年1Qに出荷、Infineon
Infineon Technologies（以下、Infineon）は2025年2月13日（ドイツ時間）、200mm 炭化ケイ素（SiC）ウエハープロセスで製造した最初の製品を2025年第1四半期（1〜3月：1Q）に顧客に供給すると発表した。オーストリア・フィラッハ工場で製造する。（2025/2/14）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
「一強時代」築くNVIDIAに弱点はあるのか
強いプレイヤーが複数存在している方が、健全だと思うのです。（2025/2/13）

ノルディックセミコンダクター nPM2100 PMIC：
一次電池機器のバッテリー使用時間を延長するパワーマネジメントIC
ノルディックセミコンダクターは、パワーマネジメントIC「nPM2100 PMIC」を発表した。昇圧レギュレーターや一次電池を用いる機器のバッテリー使用時間を延長する。（2025/2/10）

2025年春にも試作チップが完成へ：
「フラッシュメモリで」AI演算　消費電力はGPU比で1000分の1に
フローディア（Floadia）が、SONOS構造のフラッシュメモリを用いて超低消費電力で推論を行うCiM（Computing in Memory）技術を開発中だ。GPUに比べ1000分の1ほどの消費電力で積和演算を実行できるという。2025年春ごろには試作チップができ上がる。（2025/2/4）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
AIデータセンターなどで採用の「転換点」迎えるGaNパワー半導体
市場は6年で7倍に。（2025/2/3）

産総研グループと日本ガイシ：
パワー半導体モジュール基板の熱拡散率評価法を検証
産総研グループ（産業技術総合研究所およびAIST Solutions）と日本ガイシは、パワー半導体モジュールなどに用いられる窒化ケイ素製セラミック基板の熱拡散率を、高い精度で評価するための共同研究を始めると発表した。（2025/2/3）

Intelの凋落、終わりなき分断：
2024年の半導体業界を振り返る
本稿では、2024年下半期（7〜12月）の半導体業界をEE Times Japanの記事とともに振り返る。（2025/1/31）

SiC-MOSFETの温度予測技術を担当：
パワー半導体の劣化を推定　欧州プロジェクトに三菱電機が参画
三菱電機は、欧州現地法人を通じて欧州「FLAGCHIP」プロジェクトに参画した。同プロジェクトでは、新たに開発する試験機を用い、パワー半導体モジュールに実装された半導体チップの温度を正確に推定する技術を実証していく。（2025/1/31）

最大20mmのチップサイズに対応：
低温接合後に耐熱480℃になるパワー半導体向け接合材料
田中貴金属工業が、パワー半導体用パッケージ製造でのダイアタッチ向けのシート状接合材料「AgSn TLPシート」を開発した。低温で接合後に耐熱温度が480℃に上がるうえ、低加熱での接合も可能といいった特長を有し、最大20mmと大面積接合にも対応する。（2025/1/28）

材料技術：
パワー半導体向けシート状接合材料を開発　対応チップサイズ20mm角で鉛フリー
田中貴金属工業は、パワー半導体用パッケージ製造におけるダイアタッチ向けシート状接合材料「AgSn TLPシート」を開発した。（2025/1/27）

米シンクタンクが報告書を発表：
バイデン政権の置き土産 「CHIPS法」の効果を検証する
米シンクタンクが、CHIPS法（CHIPS and Science Act）の効果を評価する報告書を発表した。これまでに助成が確定あるいは覚書を締結したプロジェクトが不可欠だったかどうかを、率直に評価している。（2025/1/24）

モーター制御／電力変換に特化：
WBGパワー半導体の能力を引き出す　「PSOC Control」第1弾
Infineon Technologiesが、モーター制御および電力変換システム向けに特化した、Arm Cortex-M33ベースの高性能マイコン「PSOC Control」第1弾の発売を発表。同社の産業用およびIoT MCU担当シニアバイスプレジデントであるSteve Tateosian氏がその詳細を語った。（2025/1/24）

SEMICON Japan 2024：
20GHz対応、6Gを見据える次世代RFテストカード　アドバンテスト
アドバンテストは「SEMICON Japan 2024」に出展し、SoC（System on Chip）テストシステム「V93000」用のRFテストカードやパワーマルチプレクサカードを紹介した。（2025/1/24）

三菱電機 CM1800DW-24ME：
電力損失を約15％削減　産業用LV100タイプ1.2kV IGBTモジュール
三菱電機は、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システム向け産業用LV100タイプ1.2kV IGBTモジュール「CM1800DW-24ME」のサンプル提供を開始すると発表した。（2025/1/24）

材料技術：
耐火コーティングや液浸冷却、EVの進化を支える化学素材
ダウ・ケミカル日本はEVの駆動用バッテリーや電子部品向けの製品説明会を開いた。（2025/1/23）

electronica 2024：
「パワーは次のフロンティア」onsemiのCEOが語る
onsemiのCEOであるHassane El-Khoury氏は、欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2024」（2024年11月12〜15日）においてEE Times Japanなどの取材に応じ、市場の展望や戦略について語った。（2025/1/20）

トレックス・セミコンダクター 代表取締役社長執行役員 木村岳史氏：
PR：小型／低消費電力の強みを中高耐圧電源ICでも　トレックス
トレックス・セミコンダクターは、小型／低消費電力を強みにする電源ICを中高耐圧領域へと拡大させる。技術営業を強化しながら、36V耐圧のコイル一体型電源ICを投入し、産業機器、車載機器市場での売り上げ拡大を目指す。同社の2025年事業戦略について2024年4月に代表取締役社長執行役員に就任した木村岳史氏に聞いた。（2025/1/16）

電源電圧の動的制御がカギ：
電流出力型DACの消費電力を抑える設計手法
本稿では、電流出力型のD-Aコンバーター（IDAC）の消費電力をできるだけ抑えるための設計手法を解説します。（2025/1/15）

STマイクロ SPSB100：
出力電圧／電流範囲を調整可能　車載マイコン向けパワーマネジメントIC
STマイクロエレクトロニクスは、車載マイコン向けパワーマネジメントIC「SPSB100」を発表した。起動シーケンスをプログラムし、システム要件に合わせて出力電圧や電流範囲を微調整できる。（2025/1/9）

三菱電機 HVIGBTモジュールS1：
絶縁耐圧が従来比1.5倍　1.7kV耐圧のパワー半導体モジュール
三菱電機は、大型産業機器向けに耐圧1.7kVのパワー半導体モジュール「HVIGBTモジュールS1」シリーズ2製品を発売した。RRSOA耐量や絶縁耐圧が向上し、電力損失や熱抵抗が低減している。（2025/1/8）

スピン経済の歩き方：
「ホンダ＋日産＝世界3位」素直に喜べない理由は？　パワー半導体をめぐる“次の競争”
ホンダと日産自動車の経理統合が話題だが、それを前のめりでゴリ押ししているのが、霞ヶ関の高級官僚たちだ。その狙いは……。（2024/12/25）

クリスマスイブ、暇なら“電磁砲”はいかが？　装備庁、レールガンの最新研究資料を公開
防衛装備庁は12月24日、電磁気力で物体を撃ち出す装置「レールガン」の最新の研究動向をまとめた資料を公開した。（2024/12/24）

車載ソフトウェア：
電機メーカーはSDVをどう見ている？　「メリットは大きい」
電子情報技術産業協会はSDVに関連した半導体や電子部品の市場見通しを発表した。（2024/12/20）

SDV向けは約1186億米ドルに：
世界車載半導体市場、2035年は1594億米ドル規模へ
電子情報技術産業協会（JEITA）は、「車載半導体・電子部品市場の需要額見通し」を発表した。今回は、ソフトウェアで自動車の機能を定義するSDV（Software Defined Vehicle）への本格移行を踏まえ調査した。（2024/12/20）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版：
2024年の半導体業界を振り返る ―― 電子版2024年12月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2024年12月号を発行しました。今号のEE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は、『2024年の半導体業界を振り返る 〜Intelの凋落、終わりなき分断』です。（2024/12/19）

キーサイト 4881HV High Voltage Wafer Test System：
3kV対応のパワー半導体向けウエハーテストシステム
キーサイト・テクノロジーは、パワー半導体向けのウエハーテストシステム「4881HV High Voltage Wafer Test System」を発表した。最大3kVまでの高電圧に対応できる。（2024/12/19）

福田昭のデバイス通信（483） 2024年度版実装技術ロードマップ（3）：
「第2章：注目すべき市場と電子機器群」の前回版と今回版の違い
「2024年度版　実装技術ロードマップ」の「第2章：注目すべき市場と電子機器群」における、前回版との主な違いを紹介する。（2024/12/19）

SiC搭載インバーターの小型軽量化に向け：
150℃耐熱の高耐電圧コンデンサー用フィルムを開発、東レ
東レは2024年12月16日、150℃で動作可能な高耐熱性を有する高耐電圧コンデンサー用フィルムを開発したと発表した。小型／高信頼性の耐熱コンデンサーの実用化を加速させ、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体搭載インバーターの冷却機構簡略化による小型化／軽量化につながるとしている。（2024/12/17）

理想的な特性示すSBDを作製：
AlNパワー半導体開発加速に弾み　電流輸送機構を解明
東京大学の研究グループと日本電信電話（NTT）は、窒化アルミニウム（AlN）系半導体を用いたショットキーバリアダイオード（SBD）を作製し、その電流輸送機構を解明した。今後、AlN系半導体を用いた低損失パワー半導体デバイスの実現に取り組む。（2024/12/17）

材料技術：
150℃の耐熱性を持つ高耐電圧コンデンサー用フィルムを開発
東レは150℃で動作可能な高耐熱性を有する高耐電圧コンデンサー用フィルムを開発した。今後、同フィルムのサンプルワーク提供と量産化に向けた検討を進めていく。（2024/12/17）

脱炭素：
レゾナックの半導体材料事業が進めるサステナビリティ戦略とは？
レゾナック・ホールディングスは、「レゾナック サステナビリティ説明会2024」で、半導体材料事業を題材に同社の事業戦略とサステナビリティーの取り組みについて説明した。（2024/12/12）

車載GaNの普及を促進：
ローム、TSMCと車載GaN開発／量産で提携強化
ロームは2024年12月10日、TSMCと車載GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスの開発と量産に関する戦略的パートナーシップを締結したと発表した。（2024/12/11）

研究開発の最前線：
次世代半導体向けの素材とプロセスを共創する研究所を設置
東北大学と住友ベークライトは、同大学 青葉山キャンパス レジリエント社会構築イノベーションセンター（仙台市青葉区）に「住友ベークライト×東北大学 次世代半導体向け素材・プロセス共創研究所」を2025年1月1日に設置する。（2024/12/11）