「パワー半導体」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

パワー半導体の合従連衡、デンソーが軸に　欧米勢だけでなく、中国勢も投資を強化
次世代品は中国勢も投資を強化しており、1社の規模が小さい国内勢が競争力を維持するには協業による生産能力の拡大を急ぐ必要がありそうだ。（2024/12/6）

プロジェクト：
約100億円でパワーデバイス製作所 福岡地区にマザー工場を新設、三菱電機
三菱電機は、福岡県福岡市西区のパワーデバイス製作所 福岡地区に、パワー半導体モジュールの組み立てや検査工程を行うマザー工場を建設する。投資額は約100億円で、2026年10月の稼働開始を予定している。（2024/12/5）

「SEMICON Japan 2024」事前情報：
「業界最大クラス」のFC-BGA基板やEUVフォトマスクなど展示 TOPPAN
TOPPANは、エレクトロニクス製造の国際展示会「SEMICON Japan 2024」でFC-BGA基板や次世代半導体パッケージ向け部材、EUVフォトマスクなど、半導体の前工程および後工程をカバーする幅広い製品やソリューションを紹介する。（2024/12/5）

「SEMICON Japan 2024」事前情報：
先端SiC技術やxEV用パワー半導体など紹介 三菱電機
三菱電機は、エレクトロニクス製造の国際展示会「SEMICON Japan 2024」に出展し、パワー半導体の事業戦略、先端のSiCパワー半導体技術、今後市場拡大が期待されるxEV用パワー半導体などを紹介する予定だ。（2024/12/6）

Intelとの協業も後押し：
シリコンフォトニクスを強化するTower
ファウンドリーであるTower Semiconductorが、シリコンフォトニクス事業を強化している。同社はIntelファブを活用するなど、生産能力の強化とシリコンフォトニクスのシェア拡大に向けて着実に準備を進めている。（2024/12/2）

製造マネジメントニュース：
経産省が半導体供給確保の助成を追加認定、デンソー富士電機含め8件で1013億円
デンソーと富士電機はSiCパワー半導体の投資と製造連携を行う供給基盤の整備／強化を目的とする「半導体の供給確保計画」が経済産業省に認定された。これを含めて半導体6件、先端電子部品2件の助成が認定されており総額は1013億円に上る。（2024/12/2）

次世代半導体にも対応：
パワー半導体特化の信頼性評価施設を新設、クオルテック
クオルテックは、パワー半導体に特化した信頼性評価を行う「パワエレテクノセンター」を大阪府堺市に新設した。次世代半導体を含めたパワー半導体評価技術の研究開発や試験機の開発を行うという。（2024/12/2）

低温、短い焼結時間で高い接合強度：
パワーデバイスのパッケージに適した銅系ナノ接合材料
北海道大学の研究グループは、パワー半導体デバイスのパッケージング工程などに適した「銅系ナノ接合材料」を開発した。低温かつ短い焼結時間でも高い接合強度を実現できるという。（2024/12/2）

政府が最大705億円助成：
富士電機とデンソーがSiCパワー半導体生産強化で協業、2116億円投資
富士電機とデンソーは2024年11月29日、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体に関する投資および製造連携を行うと発表した。2116億円を投じてSiCパワー半導体の国内における生産能力を強化する計画で、経済産業省が最大705億円を補助する。（2024/11/29）

アドバンテスト PMUX02 Power MUX：
スイッチ密度が従来比2倍　パワーマルチプレクサカード
アドバンテストは、SoC（System on Chip）テストシステム「V93000 EXA Scale」向けのパワーマルチプレクサカード「PMUX02 Power MUX」を発表した。2025年初旬に販売を開始する。（2024/11/29）

利点を最大限に生かす設計上の考慮点は：
PR：高電圧大電流のバッテリー遮断スイッチになぜSiCが最適なのか、Microchipが徹底考察
単相や三相の系統電力またはエネルギー貯蔵システム（ESS）を電源とする、DCバス電圧が400V以上の電気システムは、ソリッドステート回路保護によって、信頼性と回復力を向上できる。本記事では、Microchip TechnologyのSiC事業部 シニア テクニカルスタッフ アプリケーションエンジニアを務めるEhab Tarmoom氏が、高電圧、大電流のバッテリーディスコネクトスイッチにおけるSiC技術導入やパッケージング技術のもたらす利点および、システムの寄生インダクタンスと過電流保護限界の特性評価の重要性などについて考察する。（2024/11/28）

工場ニュース：
パワー半導体モジュールの組み立て、検査工程を担う新工場棟を建設
三菱電機は、パワーデバイス製作所 福岡地区に、パワー半導体モジュールの組み立て、検査工程を担う新工場棟を建設する。投資金額は約100億円で、稼働開始は2026年10月を予定している。（2024/11/28）

整流特性も良好：
ルチル型GeO2で「世界初」半導体デバイスの動作確認
Patentixは、r-GeO2（ルチル型二酸化ゲルマニウム）単結晶薄膜上にショットキーバリアダイオード（SBD）を形成し、その動作を確認した。（2024/11/28）

ルネサス RRG50120、RRG51020、RRG53220：
第2世代DDR5 MRDIMM向けメモリインタフェースチップセット
ルネサス エレクトロニクスは、第2世代のDDR5サーバ用MRDIMM向けのメモリインタフェースチップセットを発表した。同社が既に提供しているDDR5向けの温度センサー、SPDハブと組み合わせて使用できる。（2024/11/27）

東芝マテリアルを日本特殊陶業が買収　1500億円で
東芝は、100％子会社で、素材事業を手掛ける東芝マテリアルの全株式を日本特殊陶業に1500億円で譲渡する。（2024/11/26）

パワー半導体向け放熱基板など手掛ける：
東芝マテリアルを1500億円で売却　日本特殊陶業に
東芝が、完全子会社である東芝マテリアルを日本特殊陶業に売却すると発表した。売却価格は約1500億円で、2025年5月30日に実施予定だ。（2024/11/25）

パワー半導体向けに大口径化：
住友化学、6インチGaN on GaNウエハー量産技術の早期確立へ
住友化学は、パワー半導体に向けた「6インチGaN on GaNウエハー」の量産技術を早期に確立していく。NEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）が進める2024年度「脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム」において、「パワーエレクトロニクス用大口径GaN on GaNウエハーの開発」が採択された。（2024/11/25）

AIサーバ用途の活用を強調：
20μmの「極薄」パワー半導体ウエハーを初公開、Infineon
Infineon Technologiesはドイツ・ミュンヘンで開催された欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2024」において、厚さ20μmと「世界最薄」（同社）の300mmパワー半導体ウエハーを初公開した。同技術は既に認証済みで、Infineonのインテグレーテッドスマートパワーステージ（DC-DCコンバーター）に採用され最初の顧客に納入されている。（2024/11/22）

福岡で2026年稼働：
パワー半導体モジュール新工場を建設へ　三菱電機
三菱電機は、パワー半導体モジュールの組み立てと検査を行う新工場棟を、パワーデバイス製作所福岡地区に建設する。投資額は約100億円で2026年10月の稼働を予定している。（2024/11/20）

材料技術：
印刷して焼結するだけで銅配線が可能なペースト　酸化しにくく厚膜にも対応
住友金属鉱山は、「第15回 高機能素材Week」で、開発品として「微粒銅粉」と「金属錯体導電性ペースト」を披露した。（2024/11/20）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
GaNパワー半導体特許紛争でEPCが「勝利」、米ITCが特許侵害認定
2023年5月から続いているGaNパワー半導体の主要メーカー同士の特許係争について、2024年11月上旬、米国国際貿易委員会（ITC）が最終決定を下しました。（2024/11/18）

「レールガン」研究の近況、装備庁が発表　“弾丸の安定した飛翔”に成功　電源の小型化も検討中
防衛装備庁は、電磁気力で物体を撃ち出す装置「レールガン」の最新の研究動向を発表した。（2024/11/14）

サンプル出荷を開始：
「斜めからのイオン注入」で損失低減　三菱電機のxEV用SiC-MOSFET
三菱電機は、電動車（xEV）の駆動モーター用インバーターに向けた標準仕様のパワー半導体チップ「SiC-MOSFET」を開発、サンプル出荷を始めた。xEVの航続距離を延伸でき、電費の改善につながるとみている。（2024/11/14）

1個のマイコンで8機能を制御：
ルネサスとニデック、「8-in-1」EアクスルのPoCを開発
ルネサス エレクトロニクスは、駆動モーターやギヤ（減速機）、インバーターなどを統合したEV（電気自動車）向けユニット「E-Axle（イーアクスル）」として、マイコン1個で8機能を制御できる「8-in-1」のPoC（概念実証）を、ニデックと共同で開発した。（2024/11/12）

BEV普及の減速など：
ローム、一転通期赤字を予想　SiC投資にブレーキ
ロームは2024年度通期業績について、売上高を期初予想比300億円減の4500億円、営業利益を150億円の赤字（期初予想は140億円の黒字）、純利益を60億円の赤字（同140億円の黒字）にそれぞれ下方修正した。（2024/11/8）

課題は顧客獲得：
CHIPS法の成功事例となるか　パワー半導体ファウンドリーを目指すPolar
米CHIPS法による助成金を最初に獲得した企業で、サンケン電気の米国子会社でもあるPolar Semiconductorは、より幅広い顧客向けにパワー半導体を製造する商業ファンドリーへと転換しようとしている。半導体製造の自国回帰を進める米国にとって、Polarの戦略が成功するか否かは重要な指標になりそうだ。（2024/11/5）

組み込み採用事例：
「Luna Lake」向けパワーマネジメントICを共同開発
ルネサス エレクトロニクスは、「Intel Core Ultra 200V」シリーズプロセッサ搭載のノートパソコン向けとなる、専用パワーマネジメントIC「RAA225019」を、インテルと共同開発した。（2024/11/1）

EE Exclusive：
世界最大級のパワエレ展示会「PCIM 2024」で見た最新動向
世界最大規模のパワーエレクトロニクス専門展示会「PCIM Europe 2024」が2024年6月11〜13日、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術などを紹介する。（2024/10/31）

15％以上の電力損失削減：
「世界最薄」20μmのパワー半導体ウエハー技術を開発、Infineon
Infineon Technologiesが、厚さ20μmと「世界最薄」（同社）の300mmパワー半導体ウエハーのハンドリングと加工に初めて成功したと発表した。厚さを従来より半分にすることで基板抵抗が50％下がり、電力システムにおける電力損失は15％以上削減できるという。（2024/10/29）

工場ニュース：
TIが会津工場でGaNパワー半導体を生産、米国拠点と合わせて生産能力は4倍に
TIは、会津工場でGaNパワー半導体の生産を開始したと発表した。これまでTIはGaNパワー半導体をダラス工場で生産してきたが、新たに会津工場が加わることで生産能力は従来比で4倍に増強される。（2024/10/29）

電子ブックレット（組み込み開発）：
インテルが大胆設計変更のLunar Lake／シャープのFCR回路技術
MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2024年7〜9月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2024年7〜9月）」をお送りする。（2024/10/28）

300mmウエハープロセスも開発：
TIが会津工場でGaNパワー半導体を生産開始、製造能力4倍に
Texas Instrumentsが日本の会津工場（福島県会津若松市）でGaNパワー半導体の生産を開始した。米国テキサス州ダラスの既存GaNパワー半導体工場と合わせると、自社製造能力は4倍になるという。（2024/10/25）

高効率と小型化を両立：
ルネサス、Intelと共同で「Lunar Lake」向け電源ソリューションを開発
ルネサス エレクトロニクス（ルネサス）は、IntelのAI PC向けプロセッサ「Intel Core Ultra 200Vシリーズ」用のパワーマネジメントソリューションを発表した。同ソリューションは、ルネサスとIntelが共同開発したもの。（2024/10/25）

格子不整合を緩和して単結晶化：
SiC低価格化の鍵になるか　ヘテロエピ成長用「中間膜」技術
東京大学発のスタートアップであるGaianixx（ガイアニクス）は「CEATEC 2024」で、同社が手掛ける「多能性中間膜」の技術を展示した。ヘテロエピタキシャル成長用の技術で、さまざまな金属材料の単結晶膜をシリコン基板上に形成できるようになる。（2024/10/24）

STマイクロ STPMIC25：
16チャネル分の電源を集積したSTプロセッサ用PMIC
STマイクロエレクトロニクスは、マイクロプロセッサ「STM32MP2」用のパワーマネジメントIC「STPMIC25」を発表した。16チャンネル分の電源を1パッケージに集積している。（2024/10/23）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
この木、なんの木？「半導体の木」
ドイツのInfineon Technologies本社を初訪問し、いろいろと興味深い話を聞いてきました。（2024/10/21）

2026年4月末に：
サンケン電気が志賀工場を閉鎖へ、能登半島地震で被災
サンケン電気は、令和6年能登半島地震で被災した石川サンケンの志賀工場（石川県志賀町）を2026年4月末に閉鎖する。2024年1月の被災後、復旧活動を進めて全面的な生産を再開していたが、震災影響評価の結果、恒久的使用は困難との結論に至ったという。同社は今後、グループ後工程における生産再編の実施を行う予定だ。（2024/10/18）

次世代パワー半導体：
酸化ガリウムウエハーの低コスト量産に向け、東北大が新会社を起業
東北大学は、β型酸化ガリウム（β-Ga2O3）ウエハーの低コスト量産化を目指す同大発のスタートアップFOXを起業したと発表した。同大と同大発スタートアップのC＆Aが共同開発した貴金属フリーの単結晶育成技術を用い、シリコンに匹敵する低欠陥のβ-Ga2O3インゴット／基板を、SiCより安価に製造する技術の実用化を目指す。（2024/10/17）

大山聡の業界スコープ（81）：
好調なんてとんでもない！　前年比28％増を記録した半導体市場の現在地
世界半導体市場統計（WSTS）によれば、2024年8月の世界半導体市場規模は前年同月比28.0％増と大きく成長した。果たしてその数字通り、半導体市場は好調なのだろうか。半導体市場の現状と今後の見通しについて考えてみた。（2024/10/15）

真空チャンバーなどは不要：
パワー半導体向けボイドレスはんだ付け技術を開発
日本アビオニクスは、パワー半導体チップとリードフレームや放熱板を接合する時に発生するボイドを抑えられる「ボイドレスはんだ付け」技術を新たに開発した。同社が保有する「パルスヒートはんだ付け」と「超音波接合」の技術を融合することで実現した。（2024/10/16）

研究開発の最前線：
ルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜でN型伝導性を確認
Patentixは、ドーパント不純物の添加により、世界で初めてルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜のN型伝導性を確認した。シリコンと比べ、電気エネルギーの損失が極めて低いパワー半導体の作製が期待される。（2024/10/11）

58の自治体／団体が出席：
「半導体産業で全国を連携」　SEMI設立の協議会が初会合
2024年10月8日、「全国半導体地域連携協議会」の第1回会合が都内で開催され、58の自治体／団体が参加した。同協議会は、半導体産業による地域経済の活性化を目的としてSEMIが2024年9月に設立した。（2024/10/10）

溶液法SiCウエハー事業：
JSファンダリとオキサイド、SiCウエハー国産化目指し協業
JSファンダリとオキサイドが、溶液法SiCウエハー事業において、業務提携に関する基本合意書を締結したと発表した。JSファンダリは、「溶液法SiCウエハーの事業化にオキサイドと取り組み、「欠陥が少なく高品質なウエハーの市場への安定投入を図ることで、自社のパワー半導体ビジネス拡大への足掛かりとする」としている。（2024/10/9）

ルネサスの海外販売戦略に柔軟かつ即座に対応：
PR：Avnet、日本でルネサス製品の取り扱い開始　需要創出と物流で強力に支援
Avnet（アヴネット）がルネサス エレクトロニクス製品の取り扱いを日本で開始した。M＆Aを経て製品群が大幅に増加したルネサスは、ラインカードが多く物流ネットワークにも強いAvnetに大きな期待を寄せる。AvnetのAsia Pacific and Japanでプレジデントを務めるPrince Yun氏と、ルネサス グローバル・リージョナル＆日本アジアパシフィック統括でバイスプレジデントを務める長谷川夕也氏が、ルネサスとしてAvnetを選択した背景やルネサスとAvnetのパートナーシップがエンジニアにもたらす価値について語った。（2024/10/16）

モジュール組み立て工程に供給開始：
12インチウエハーを用いてSiパワー半導体チップを量産
三菱電機は、パワーデバイス製作所福山工場の12インチSiウエハー対応ラインで製造したパワー半導体チップの本格出荷を始めた。同社は「2025年度までにSiパワー半導体の前工程における生産能力を、2020年度に比べ約2倍とする」中期計画に取り組んでいる。（2024/10/2）

工場ニュース：
サイコックスが貼り合わせSiC基板の8インチ量産ラインを構築決定
サイコックスは、サイコックス大口工場（鹿児島県伊佐市）で、貼り合わせSiC基板「SiCkrest）」の8インチ量産ラインを構築することを決定した。（2024/10/2）

Axus Technologyが開発：
SiCを低コスト化できるか　米装置メーカーのCMP技術
米Axus Technologyが提供するCMP（化学機械研磨）装置は、SiCウエハーのコストを大幅に下げる可能性がある。（2024/10/1）

工場ニュース：
12インチSiウエハーを用いたパワー半導体チップをモジュール組立工程に供給開始
三菱電機はパワーデバイス製作所 福山工場で製造する12インチSiウエハーを用いたパワー半導体チップを、モジュール組み立て工程に向けて本格的に供給を始めた。（2024/10/1）

2024年見込みは470億ドル：
半導体材料市場、2029年に583億ドル規模へ
富士経済は、半導体材料について2029年までの世界市場を予測した。これによると、2024年見込みの470億米ドルに対し、2029年には583億米ドル規模に達する。新たなAI（人工知能）搭載機器の登場や、データセンター向けサーバの需要増加などにより、半導体材料市場は拡大が続く。（2024/10/1）

固有の劣化モードを評価：
SiCパワー半導体の劣化試験サービスを開始、OEG
OKIエンジニアリング（OEG）は2024年9月、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体固有の劣化モードを評価する「AC-BTI試験サービス」を始めた。SiCパワー半導体の開発やデバイス選択、応用製品の設計などを支援していく。（2024/9/30）