「パワー半導体」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

トレックス・セミコンダクター 代表取締役社長執行役員 木村岳史氏：
PR：小型／低消費電力の強みを中高耐圧電源ICでも　トレックス
トレックス・セミコンダクターは、小型／低消費電力を強みにする電源ICを中高耐圧領域へと拡大させる。技術営業を強化しながら、36V耐圧のコイル一体型電源ICを投入し、産業機器、車載機器市場での売り上げ拡大を目指す。同社の2025年事業戦略について2024年4月に代表取締役社長執行役員に就任した木村岳史氏に聞いた。（2025/1/16）

電源電圧の動的制御がカギ：
電流出力型DACの消費電力を抑える設計手法
本稿では、電流出力型のD-Aコンバーター（IDAC）の消費電力をできるだけ抑えるための設計手法を解説します。（2025/1/15）

STマイクロ SPSB100：
出力電圧／電流範囲を調整可能　車載マイコン向けパワーマネジメントIC
STマイクロエレクトロニクスは、車載マイコン向けパワーマネジメントIC「SPSB100」を発表した。起動シーケンスをプログラムし、システム要件に合わせて出力電圧や電流範囲を微調整できる。（2025/1/9）

三菱電機 HVIGBTモジュールS1：
絶縁耐圧が従来比1.5倍　1.7kV耐圧のパワー半導体モジュール
三菱電機は、大型産業機器向けに耐圧1.7kVのパワー半導体モジュール「HVIGBTモジュールS1」シリーズ2製品を発売した。RRSOA耐量や絶縁耐圧が向上し、電力損失や熱抵抗が低減している。（2025/1/8）

スピン経済の歩き方：
「ホンダ＋日産＝世界3位」素直に喜べない理由は？　パワー半導体をめぐる“次の競争”
ホンダと日産自動車の経理統合が話題だが、それを前のめりでゴリ押ししているのが、霞ヶ関の高級官僚たちだ。その狙いは……。（2024/12/25）

クリスマスイブ、暇なら“電磁砲”はいかが？　装備庁、レールガンの最新研究資料を公開
防衛装備庁は12月24日、電磁気力で物体を撃ち出す装置「レールガン」の最新の研究動向をまとめた資料を公開した。（2024/12/24）

車載ソフトウェア：
電機メーカーはSDVをどう見ている？　「メリットは大きい」
電子情報技術産業協会はSDVに関連した半導体や電子部品の市場見通しを発表した。（2024/12/20）

SDV向けは約1186億米ドルに：
世界車載半導体市場、2035年は1594億米ドル規模へ
電子情報技術産業協会（JEITA）は、「車載半導体・電子部品市場の需要額見通し」を発表した。今回は、ソフトウェアで自動車の機能を定義するSDV（Software Defined Vehicle）への本格移行を踏まえ調査した。（2024/12/20）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版：
2024年の半導体業界を振り返る ―― 電子版2024年12月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2024年12月号を発行しました。今号のEE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は、『2024年の半導体業界を振り返る 〜Intelの凋落、終わりなき分断』です。（2024/12/19）

キーサイト 4881HV High Voltage Wafer Test System：
3kV対応のパワー半導体向けウエハーテストシステム
キーサイト・テクノロジーは、パワー半導体向けのウエハーテストシステム「4881HV High Voltage Wafer Test System」を発表した。最大3kVまでの高電圧に対応できる。（2024/12/19）

福田昭のデバイス通信（483） 2024年度版実装技術ロードマップ（3）：
「第2章：注目すべき市場と電子機器群」の前回版と今回版の違い
「2024年度版　実装技術ロードマップ」の「第2章：注目すべき市場と電子機器群」における、前回版との主な違いを紹介する。（2024/12/19）

SiC搭載インバーターの小型軽量化に向け：
150℃耐熱の高耐電圧コンデンサー用フィルムを開発、東レ
東レは2024年12月16日、150℃で動作可能な高耐熱性を有する高耐電圧コンデンサー用フィルムを開発したと発表した。小型／高信頼性の耐熱コンデンサーの実用化を加速させ、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体搭載インバーターの冷却機構簡略化による小型化／軽量化につながるとしている。（2024/12/17）

理想的な特性示すSBDを作製：
AlNパワー半導体開発加速に弾み　電流輸送機構を解明
東京大学の研究グループと日本電信電話（NTT）は、窒化アルミニウム（AlN）系半導体を用いたショットキーバリアダイオード（SBD）を作製し、その電流輸送機構を解明した。今後、AlN系半導体を用いた低損失パワー半導体デバイスの実現に取り組む。（2024/12/17）

材料技術：
150℃の耐熱性を持つ高耐電圧コンデンサー用フィルムを開発
東レは150℃で動作可能な高耐熱性を有する高耐電圧コンデンサー用フィルムを開発した。今後、同フィルムのサンプルワーク提供と量産化に向けた検討を進めていく。（2024/12/17）

脱炭素：
レゾナックの半導体材料事業が進めるサステナビリティ戦略とは？
レゾナック・ホールディングスは、「レゾナック サステナビリティ説明会2024」で、半導体材料事業を題材に同社の事業戦略とサステナビリティーの取り組みについて説明した。（2024/12/12）

車載GaNの普及を促進：
ローム、TSMCと車載GaN開発／量産で提携強化
ロームは2024年12月10日、TSMCと車載GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスの開発と量産に関する戦略的パートナーシップを締結したと発表した。（2024/12/11）

研究開発の最前線：
次世代半導体向けの素材とプロセスを共創する研究所を設置
東北大学と住友ベークライトは、同大学 青葉山キャンパス レジリエント社会構築イノベーションセンター（仙台市青葉区）に「住友ベークライト×東北大学 次世代半導体向け素材・プロセス共創研究所」を2025年1月1日に設置する。（2024/12/11）

研究開発の最前線：
黒鉛ルツボの劣化を抑える、炭化タンタルの厚膜コーティング技術を開発
豊田中央研究所は、パワー半導体材料のSiC結晶生成時に使用する、黒鉛ルツボの劣化を抑える炭化タンタルの厚膜コーティング技術「SinTaC」を発表した。ルツボの再使用が可能となり、SiC製造コストや環境負荷低減への貢献が期待される。（2024/12/10）

研究開発の最前線：
低温かつ短時間、高強度で接合できる銅系ナノ接合材料を開発
北海道大学は、パワー半導体パッケージングなどに適した、銅系ナノ接合材料の開発に成功した。低温焼結に対応し、短時間の加熱で高い接合強度を発揮する。（2024/12/9）

パワー半導体の合従連衡、デンソーが軸に　欧米勢だけでなく、中国勢も投資を強化
次世代品は中国勢も投資を強化しており、1社の規模が小さい国内勢が競争力を維持するには協業による生産能力の拡大を急ぐ必要がありそうだ。（2024/12/6）

プロジェクト：
約100億円でパワーデバイス製作所 福岡地区にマザー工場を新設、三菱電機
三菱電機は、福岡県福岡市西区のパワーデバイス製作所 福岡地区に、パワー半導体モジュールの組み立てや検査工程を行うマザー工場を建設する。投資額は約100億円で、2026年10月の稼働開始を予定している。（2024/12/5）

「SEMICON Japan 2024」事前情報：
「業界最大クラス」のFC-BGA基板やEUVフォトマスクなど展示 TOPPAN
TOPPANは、エレクトロニクス製造の国際展示会「SEMICON Japan 2024」でFC-BGA基板や次世代半導体パッケージ向け部材、EUVフォトマスクなど、半導体の前工程および後工程をカバーする幅広い製品やソリューションを紹介する。（2024/12/5）

「SEMICON Japan 2024」事前情報：
先端SiC技術やxEV用パワー半導体など紹介 三菱電機
三菱電機は、エレクトロニクス製造の国際展示会「SEMICON Japan 2024」に出展し、パワー半導体の事業戦略、先端のSiCパワー半導体技術、今後市場拡大が期待されるxEV用パワー半導体などを紹介する予定だ。（2024/12/6）

Intelとの協業も後押し：
シリコンフォトニクスを強化するTower
ファウンドリーであるTower Semiconductorが、シリコンフォトニクス事業を強化している。同社はIntelファブを活用するなど、生産能力の強化とシリコンフォトニクスのシェア拡大に向けて着実に準備を進めている。（2024/12/2）

製造マネジメントニュース：
経産省が半導体供給確保の助成を追加認定、デンソー富士電機含め8件で1013億円
デンソーと富士電機はSiCパワー半導体の投資と製造連携を行う供給基盤の整備／強化を目的とする「半導体の供給確保計画」が経済産業省に認定された。これを含めて半導体6件、先端電子部品2件の助成が認定されており総額は1013億円に上る。（2024/12/2）

次世代半導体にも対応：
パワー半導体特化の信頼性評価施設を新設、クオルテック
クオルテックは、パワー半導体に特化した信頼性評価を行う「パワエレテクノセンター」を大阪府堺市に新設した。次世代半導体を含めたパワー半導体評価技術の研究開発や試験機の開発を行うという。（2024/12/2）

低温、短い焼結時間で高い接合強度：
パワーデバイスのパッケージに適した銅系ナノ接合材料
北海道大学の研究グループは、パワー半導体デバイスのパッケージング工程などに適した「銅系ナノ接合材料」を開発した。低温かつ短い焼結時間でも高い接合強度を実現できるという。（2024/12/2）

政府が最大705億円助成：
富士電機とデンソーがSiCパワー半導体生産強化で協業、2116億円投資
富士電機とデンソーは2024年11月29日、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体に関する投資および製造連携を行うと発表した。2116億円を投じてSiCパワー半導体の国内における生産能力を強化する計画で、経済産業省が最大705億円を補助する。（2024/11/29）

アドバンテスト PMUX02 Power MUX：
スイッチ密度が従来比2倍　パワーマルチプレクサカード
アドバンテストは、SoC（System on Chip）テストシステム「V93000 EXA Scale」向けのパワーマルチプレクサカード「PMUX02 Power MUX」を発表した。2025年初旬に販売を開始する。（2024/11/29）

利点を最大限に生かす設計上の考慮点は：
PR：高電圧大電流のバッテリー遮断スイッチになぜSiCが最適なのか、Microchipが徹底考察
単相や三相の系統電力またはエネルギー貯蔵システム（ESS）を電源とする、DCバス電圧が400V以上の電気システムは、ソリッドステート回路保護によって、信頼性と回復力を向上できる。本記事では、Microchip TechnologyのSiC事業部 シニア テクニカルスタッフ アプリケーションエンジニアを務めるEhab Tarmoom氏が、高電圧、大電流のバッテリーディスコネクトスイッチにおけるSiC技術導入やパッケージング技術のもたらす利点および、システムの寄生インダクタンスと過電流保護限界の特性評価の重要性などについて考察する。（2024/11/28）

工場ニュース：
パワー半導体モジュールの組み立て、検査工程を担う新工場棟を建設
三菱電機は、パワーデバイス製作所 福岡地区に、パワー半導体モジュールの組み立て、検査工程を担う新工場棟を建設する。投資金額は約100億円で、稼働開始は2026年10月を予定している。（2024/11/28）

整流特性も良好：
ルチル型GeO2で「世界初」半導体デバイスの動作確認
Patentixは、r-GeO2（ルチル型二酸化ゲルマニウム）単結晶薄膜上にショットキーバリアダイオード（SBD）を形成し、その動作を確認した。（2024/11/28）

ルネサス RRG50120、RRG51020、RRG53220：
第2世代DDR5 MRDIMM向けメモリインタフェースチップセット
ルネサス エレクトロニクスは、第2世代のDDR5サーバ用MRDIMM向けのメモリインタフェースチップセットを発表した。同社が既に提供しているDDR5向けの温度センサー、SPDハブと組み合わせて使用できる。（2024/11/27）

東芝マテリアルを日本特殊陶業が買収　1500億円で
東芝は、100％子会社で、素材事業を手掛ける東芝マテリアルの全株式を日本特殊陶業に1500億円で譲渡する。（2024/11/26）

パワー半導体向け放熱基板など手掛ける：
東芝マテリアルを1500億円で売却　日本特殊陶業に
東芝が、完全子会社である東芝マテリアルを日本特殊陶業に売却すると発表した。売却価格は約1500億円で、2025年5月30日に実施予定だ。（2024/11/25）

パワー半導体向けに大口径化：
住友化学、6インチGaN on GaNウエハー量産技術の早期確立へ
住友化学は、パワー半導体に向けた「6インチGaN on GaNウエハー」の量産技術を早期に確立していく。NEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）が進める2024年度「脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム」において、「パワーエレクトロニクス用大口径GaN on GaNウエハーの開発」が採択された。（2024/11/25）

AIサーバ用途の活用を強調：
20μmの「極薄」パワー半導体ウエハーを初公開、Infineon
Infineon Technologiesはドイツ・ミュンヘンで開催された欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2024」において、厚さ20μmと「世界最薄」（同社）の300mmパワー半導体ウエハーを初公開した。同技術は既に認証済みで、Infineonのインテグレーテッドスマートパワーステージ（DC-DCコンバーター）に採用され最初の顧客に納入されている。（2024/11/22）

福岡で2026年稼働：
パワー半導体モジュール新工場を建設へ　三菱電機
三菱電機は、パワー半導体モジュールの組み立てと検査を行う新工場棟を、パワーデバイス製作所福岡地区に建設する。投資額は約100億円で2026年10月の稼働を予定している。（2024/11/20）

材料技術：
印刷して焼結するだけで銅配線が可能なペースト　酸化しにくく厚膜にも対応
住友金属鉱山は、「第15回 高機能素材Week」で、開発品として「微粒銅粉」と「金属錯体導電性ペースト」を披露した。（2024/11/20）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
GaNパワー半導体特許紛争でEPCが「勝利」、米ITCが特許侵害認定
2023年5月から続いているGaNパワー半導体の主要メーカー同士の特許係争について、2024年11月上旬、米国国際貿易委員会（ITC）が最終決定を下しました。（2024/11/18）

「レールガン」研究の近況、装備庁が発表　“弾丸の安定した飛翔”に成功　電源の小型化も検討中
防衛装備庁は、電磁気力で物体を撃ち出す装置「レールガン」の最新の研究動向を発表した。（2024/11/14）

サンプル出荷を開始：
「斜めからのイオン注入」で損失低減　三菱電機のxEV用SiC-MOSFET
三菱電機は、電動車（xEV）の駆動モーター用インバーターに向けた標準仕様のパワー半導体チップ「SiC-MOSFET」を開発、サンプル出荷を始めた。xEVの航続距離を延伸でき、電費の改善につながるとみている。（2024/11/14）

1個のマイコンで8機能を制御：
ルネサスとニデック、「8-in-1」EアクスルのPoCを開発
ルネサス エレクトロニクスは、駆動モーターやギヤ（減速機）、インバーターなどを統合したEV（電気自動車）向けユニット「E-Axle（イーアクスル）」として、マイコン1個で8機能を制御できる「8-in-1」のPoC（概念実証）を、ニデックと共同で開発した。（2024/11/12）

BEV普及の減速など：
ローム、一転通期赤字を予想　SiC投資にブレーキ
ロームは2024年度通期業績について、売上高を期初予想比300億円減の4500億円、営業利益を150億円の赤字（期初予想は140億円の黒字）、純利益を60億円の赤字（同140億円の黒字）にそれぞれ下方修正した。（2024/11/8）

課題は顧客獲得：
CHIPS法の成功事例となるか　パワー半導体ファウンドリーを目指すPolar
米CHIPS法による助成金を最初に獲得した企業で、サンケン電気の米国子会社でもあるPolar Semiconductorは、より幅広い顧客向けにパワー半導体を製造する商業ファンドリーへと転換しようとしている。半導体製造の自国回帰を進める米国にとって、Polarの戦略が成功するか否かは重要な指標になりそうだ。（2024/11/5）

組み込み採用事例：
「Luna Lake」向けパワーマネジメントICを共同開発
ルネサス エレクトロニクスは、「Intel Core Ultra 200V」シリーズプロセッサ搭載のノートパソコン向けとなる、専用パワーマネジメントIC「RAA225019」を、インテルと共同開発した。（2024/11/1）

EE Exclusive：
世界最大級のパワエレ展示会「PCIM 2024」で見た最新動向
世界最大規模のパワーエレクトロニクス専門展示会「PCIM Europe 2024」が2024年6月11〜13日、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術などを紹介する。（2024/10/31）

15％以上の電力損失削減：
「世界最薄」20μmのパワー半導体ウエハー技術を開発、Infineon
Infineon Technologiesが、厚さ20μmと「世界最薄」（同社）の300mmパワー半導体ウエハーのハンドリングと加工に初めて成功したと発表した。厚さを従来より半分にすることで基板抵抗が50％下がり、電力システムにおける電力損失は15％以上削減できるという。（2024/10/29）

工場ニュース：
TIが会津工場でGaNパワー半導体を生産、米国拠点と合わせて生産能力は4倍に
TIは、会津工場でGaNパワー半導体の生産を開始したと発表した。これまでTIはGaNパワー半導体をダラス工場で生産してきたが、新たに会津工場が加わることで生産能力は従来比で4倍に増強される。（2024/10/29）

電子ブックレット（組み込み開発）：
インテルが大胆設計変更のLunar Lake／シャープのFCR回路技術
MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2024年7〜9月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2024年7〜9月）」をお送りする。（2024/10/28）