「パワー半導体」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

2025年3Qに完成予定：
レゾナック、山形にSiC基板とエピウエハー生産の新拠点設置へ
レゾナックは2024年9月13日、山形県東根市の山形工場にパワー半導体向けSiC（炭化ケイ素）ウエハーの生産建屋を新設すると発表した。2025年第3四半期の完成を予定している。（2024/9/13）

シリコン並みの低コスト化に向け：
「世界初」300mm GaNウエハー技術を開発、Infineon
Infineon Technologiesが、300mmのGaN（窒化ガリウム）ウエハー技術を開発した。300mmウエハーでのチップ製造は、200mmウエハーの場合と比べ、ウエハー1枚当たり2.3倍のチップが製造可能となり、効率が大幅に向上する。（2024/9/11）

パワー半導体デバイス向け基板で：
青色半導体レーザーで窒化アルミニウムと銅を接合
大阪大学は、DOWAホールディングスや島津製作所と共同で、パワー半導体デバイスに用いられる窒化アルミニウム基板に対し、青色半導体レーザーを用い、銅を直接接合する技術を開発した。接合に用いる材料と製造工数の削減が可能となる。（2024/9/12）

PCIM Europe 2024：
初の車載SiCモジュールで市場展開を加速、三菱電機
三菱電機は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、モールドタイプのxEV用インバーター用パワー半導体モジュール「J3」シリーズや、鉄道および直流送電などの大型産業機器向けのSBD内蔵SiC MOSFETモジュールなど、各分野向けに開発した新製品を紹介していた。（2024/9/11）

PCIM Europe 2024：
独自モールドタイプモジュールで車載SiCの主戦場へ挑むローム
ロームはドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」の初日に記者会見を行い、同社取締役常務執行役員パワーデバイス事業担当の伊野和英氏がSiCパワーデバイス新製品の概要や、事業の展望などを語った。（2024/9/10）

銀とシリコンの共晶合金を液体急冷：
ワイドバンドギャップ半導体向けの新たな接合材料
大阪大学はダイセルとの共同研究で、銀（Ag）とシリコン（Si）の共晶合金を液体急冷すると、非晶質SiやAg過飽和固溶体の準安定相が出現することを発見した。また、液体急冷Ag−Si合金を大気中で加熱すると、Ag過飽和固溶体に含まれるSiが酸化反応を起こし、副産物としてAgが析出されることも明らかにした。（2024/9/10）

PCIM Europe 2024：
低温で接合後に融点480℃に、田中貴金属独自のシート状接合材
田中貴金属グループの製造事業を展開する田中貴金属工業および田中電子工業は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」に出展。独自開発の低温で接合可能ながら高温耐熱性を持つ独自開発のシート状接合材である「AgSn TLPシート」などを展示していた。（2024/9/10）

工場ニュ―ス：
インフィニオンがSiCパワー半導体新工場の第1フェーズ開設、3000億円超投資
Infineon Technologies（インフィニオン）は、マレーシアのパワー半導体新工場の第1フェーズを正式に開設した。第1フェーズでは、高効率200mm SiCパワー半導体のほかGaNエピタキシーを製造し、900人の高付加価値雇用が創出される。（2024/9/4）

ローム BD28C55FJ-LB／54FJ-LB／57LFJ-LB／57HFJ-LB：
UVLO対応、PWM制御方式汎用AC-DCコントローラーIC
ロームは、PWM制御方式FET外付けタイプAC-DCコントローラーIC4種を発売した。低電圧誤動作防止機能を搭載し、Si-MOSFET、IGBT、SiC（炭化ケイ素） MOSFETまで幅広いパワートランジスタに対応する。（2024/9/2）

独り勝ちのNVIDIA、中国の対米規制：
2024年上半期の半導体業界を振り返る
本稿では、2024年上半期（1〜6月）の半導体業界をEE Times Japanの記事とともに振り返る。（2024/8/28）

かつての主要DRAMメーカー：
InfineonがQimondaの破産管財人と和解、7.5億ユーロ支払いへ
Infineon Technologiesは2024年8月22日、かつての子会社で2009年に破産したDRAMメーカーであるQimonda（キマンダ）の破産管財人との間で続いていた係争について、和解に合意したと発表した。Infineonが7億5350万ユーロを支払うという。（2024/8/26）

幅広いパワートランジスタに対応：
ローム、汎用AC-DCコントローラーICを4機種発売
ロームは、産業機器用電源などに向けたPWM制御方式FET外付けタイプの汎用AC-DCコントローラーIC4機種の販売を始めた。（2024/8/22）

「TECHNO-FRONTIER 2024」：
「STM32」で工場自動化、トータルソリューション提示
STマイクロエレクトロニクスは「TECHNO-FRONTIER 2024」に出展し、工場自動化に向けたFA（ファクトリーオートメーション）ソリューションや住宅向けエネルギーソリューションを紹介した。（2024/8/19）

クイズで学ぶ！　半導体業界：
【問題】再稼働したルネサス甲府工場で生産する製品は？
EE Times Japanの記事からクイズを出題！　半導体／エレクトロニクス業界の知識を楽しく増やしていきましょう。（2024/8/14）

200mm対応の大規模工場が完成：
InfineonがマレーシアのSiC新工場を開所　24年内に出荷へ
Infineon Technologiesは2024年8月8日（マレーシア時間）、マレーシア・クリムの200mm SiC（炭化ケイ素）ウエハー新工場のオープニングセレモニーを開催した。2024年内にもウエハー出荷を開始する予定だ。（2024/8/8）

スルーレート制御機能を搭載：
モーターの寿命を18年延長するゲートドライバーIC
Broadcom（ブロードコム）は、「TECHNO-FRONTIER 2024」（2024年7月24〜26日、東京ビッグサイト）に出展し、SiC（炭化ケイ素）／GaN（窒化ガリウム）に対応したゲートドライバーICや電流センサーの評価ボードなどを展示した。（2024/8/8）

3年で売上高を倍に：
Qorvoが日本市場に本腰　車載や防衛分野を狙う
Qorvo Japanは2024年7月31日、メディア向け事業説明会を実施した。Qorvo Japan ジャパンカントリーマネージャーを務める大久保喜司氏は、国内の事業戦略について「防衛分野や自動車分野に注力し、3年以内に売上高を倍にする」と語った。（2024/8/5）

先端半導体材料の増産、新規開発で：
積水化学工業が武蔵工場を増強、台湾にはR＆D拠点
積水化学工業は、先端半導体製造工程で用いられる高接着易剥離UVテープ「SELFA」について、国内で生産能力を増強する。また、半導体材料のR＆D拠点を台湾に新設することも決めた。これらに関連する投資総額は約50億円を予定している。（2024/7/31）

小さいゲート抵抗で発振抑制：
寄生発振抑制と高速スイッチングを両立、東芝のSiCモジュール
東芝デバイス＆ストレージ（以下、東芝D＆S）と東芝は、SiCｰMOSFETを搭載したパワーモジュールの寄生発振を抑制する独自技術を開発した。【修正あり】（2024/7/29）

工場ニュース：
積水化学が先端半導体向け材料の生産能力増強、台湾に評価／分析拠点も新設
積水化学工業は、武蔵工場（埼玉県蓮田市）における高接着易剥離UVテープ「SELFA」の生産能力増強および同製品を含む半導体関連材料の評価／分析が可能なR＆D拠点を台湾に新設することを決定した。（2024/7/26）

材料技術：
次世代パワー半導体向け高熱伝導シンタリング銀ペーストのサンプル出荷を開始
住友ベークライトは、次世代パワー半導体向け「高熱伝導シンタリング銀ペースト（150W/m・K）」のサンプル出荷を開始した。2024年12月の量産化を目指している。（2024/7/19）

AC/DC変換回路の実装面積を大幅に削減：
PR：「緻密なゲート駆動制御」はもう要らない　GaN内蔵のフライバックレギュレータ
米MPSは、GaN FETを内蔵したフライバックレギュレータの製品群を拡大している。次世代パワー半導体の材料として期待されるGaNだが、Si MOSFETに比べてGaN FETの扱いは格段に難しい。ゲート駆動がSi MOSFETのように容易ではなく、緻密な制御を要求されるからだ。その難しさを取り除き、GaNソリューションを採用しやすくするのがMPSのGaN FET内蔵フライバックレギュレータだ。（2024/7/8）

半導体やシステムの改善が不可欠：
AI普及の思わぬ弊害　データセンターの電力問題が深刻化
AI（人工知能）の発展が進む上で、データセンターの電力消費量に対する懸念が増している。次世代パワー半導体の積極的な採用や、より効率の良いデータセンターアーキテクチャの採用をはじめ、早急な対策が必要になる。（2024/7/4）

この10年で起こったこと、次の10年で起こること（84）：
最新ドローンを分解　半導体は「ほぼ中国製」
今回は、2024年に日本で発売されたドローン2機種を紹介する。すっかり身近になったドローンを分解すると、数多くの中国製半導体が使われていることが分かる。（2024/7/2）

福田昭のデバイス通信（464） ECTC現地レポート（2）：
ECTCのプレナリーセッションで新材料のスタートアップ3社を紹介
引き続き、「ECTC 2024」の現地レポートをお届けする。2024年5月30日のプレナリーセッションでは、半導体パッケージングのスタートアップ企業3社が講演を行った。今回は、この3社のプレゼン内容を紹介する。（2024/7/2）

JPCA Show 2024　太陽インキ製造：
パワー半導体の熱、逃がします　高熱伝導性の絶縁インキ
太陽インキ製造は、「JPCA Show 2024」（2024年6月12〜14日／東京ビッグサイト）に出展し、パワー半導体向け高放熱絶縁材料の製品群を展示した。これらは、電子回路技術及び産業の進歩発展に顕著な製品・技術を表彰する「JPCA賞」を受賞したものだ。（2024/7/1）

統合直後からシナジー全開！：
PR：アナデジ融合にチップレット活用――「ローム×ラピス」だからこそ生まれたユニークなマイコン
2024年4月に子会社のラピステクノロジーを吸収合併したロームは、両社の強みを併せ持つ製品の開発と展開を加速させている。ロームが「シナジーが最も大きいカテゴリーの一つ」として挙げるのがマイコンだ。アナログ制御とデジタル制御の“いいとこ取り”をした「アナログ・デジタル融合制御」電源用のマイコン、チップレットを活用したマイコン、IC上で機械学習と推論を実行できるマイコンなど、市場投入を控えたユニークな新製品がそろう。（2024/7/1）

PCIM Europe 2024：
ミネベアパワーデバイス、EV向けSiCパワーモジュール開発品を初公開
ミネベアパワーデバイス（旧：日立パワーデバイス）がドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、開発中の電気自動車（EV）向けSiCパワーモジュールを初公開した。同社独自の構造である「VC Fin-SiC」構造のSiC トレンチMOSFETを採用する予定で、量産に向けて開発を進めているという。（2024/6/27）

メカ設計ニュース：
インバーター試作機に関する情報を提供し、開発時の業務負荷を軽減
三菱電機は、大容量インバーターシステムで使用する「産業用LV100タイプIGBTモジュール」に関して、検証データ提供サービスを開始する。同データを活用することで、試作機を開発する際の業務負荷を軽減できる。（2024/6/27）

新製品15種も同時発表：
ルネサス、Transphorm買収完了でGaN市場に本格参入
ルネサス エレクトロニクスは2024年6月20日、Transphorm（トランスフォーム）の買収を完了したと発表した。同日、新しいGaN製品とルネサス エレクトロニクスの既存製品を組み合わせた新製品を15種類発表した。（2024/6/24）

複数年で最大20億米ドルを投資：
オンセミ、チェコに最先端のSiC製造施設を設置
オンセミ（onsemi）は、チェコに最先端のSiC（炭化ケイ素）製造施設を設けると発表した。垂直統合型の製造拠点で、複数年にわたり最大20億米ドル（440億チェココルナ）の投資を計画している。（2024/6/24）

欧米／中国企業が続々：
マレーシアに「半導体の時代」が到来か
マレーシアは1960年代後半からアセンブリ／テストといった半導体後工程を担い、より高付加価値な前工程の設計業務への移行を長年模索してきた。とうとう今その時が来ていると言えそうだ。欧米や中国の半導体企業の製造拠点が続けてマレーシアに進出している。（2024/6/21）

耐電圧3.3kV：
低電流領域のSBD内蔵SiC-MOSFETモジュール
三菱電機は、大容量SiCパワー半導体「SBD内蔵SiC-MOSFETモジュール」の新製品として、定格電流400Aの「FMF400DC-66BEW」と同200Aの「FMF200DC-66BE」を発売した。鉄道車両や直流送電などの大型産業機器向けで、耐電圧はいずれも3.3kVだ。（2024/6/20）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版：
エッジAIが本格化、「embedded world」で見た最新トレンド ―― 電子版2024年6月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2024年6月号を発行しました。今号のEE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は、『「embedded world 2024」レポート： エッジAIが本格化、「欧州最大規模」の組み込み技術展示会で見た最新トレンド』です。（2024/6/17）

SiCパワー半導体の長期供給契約も：
STと吉利汽車、「共同研究ラボ」設立などで合意
STマイクロエレクトロニクスと中国の吉利汽車は、「SiC（炭化ケイ素）パワー半導体の長期供給契約」と、「共同研究ラボの設立」で合意したと発表した。革新的な技術を共同で開発することにより、新エネルギー車（NEV）への移行を加速させる。（2024/6/17）

33か国から620社／団体以上が出展：
世界最大規模のパワエレ展示会「PCIM Europe」開幕
世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」が、ドイツ・ニュルンベルクで開幕。33カ国以上から集まった620以上の企業／団体が、パワーエレクトロニクス分野の最新技術やイノベーションを紹介している。（2024/6/12）

1世代ごとにオン抵抗30％削減：
「2年ごとに新世代を投入」ロームがSiC MOSFET開発を加速、25年の第5世代以降
ロームはSiC MOSFETの開発を加速し、2025年に予定する第5世代品のリリース以降、2027年には第6世代、2029年に第7世代と2年ごとに新世代品を投入する計画を明かした。1世代ごとにオン抵抗を30％削減するという。（2024/6/12）

大山聡の業界スコープ（77）：
24〜25年半導体市況を見通す ―― WSTS春季予測はもっと強気でもよいのでは
WSTS（世界半導体市場統計）が2024年および2025年の世界半導体市場予測を発表した。2024年の成長率は前年比16.0％と予測されているが、条件次第ではもっと強気な予想も可能ではないか。今回は、これまでの状況を踏まえながら今後の市況見通しについて考える。（2024/6/11）

LV100タイプIGBTモジュールを搭載：
三菱電機、インバーター試作機の設計情報を提供
三菱電機は、産業用LV100タイプIGBTモジュールを用いたインバーターシステムの開発を支援するための情報提供を、2024年6月28日より始める。システム設計に必要な情報やパワー半導体の検証データなどを、同社ウェブサイトなどで提供していく。（2024/6/10）

マイクロプロセッサQ&Aハンドブック（3）：
マイクロプロセッサを使用したシステム、回路設計時に重要なポイントは
マイクロプロセッサ（MPU）を使用したボードを開発するユーザーが抱えるさまざまな悩みに対し、マイクロプロセッサメーカーのエンジニアが回答していく連載「マイクロプロセッサQ＆Aハンドブック」。今回は、「回路設計時の重要ポイント」について紹介します。（2024/6/11）

深さの異なるバリア構造を導入：
東芝D＆S、SBD内蔵SiC MOSFETのオン抵抗を低減
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、高い信頼性と短絡耐久性を維持しながら、低オン抵抗を実現した「SBD内蔵SiC（炭化ケイ素）MOSFET」を開発した。深さの異なるバリア構造を導入することで実現した。（2024/6/5）

組み込み開発ニュース：
GaN FETのデッドタイムをほぼ0に、アナログ・デバイセズが高効率化製品群
アナログ・デバイセズがGaN（窒化ガリウム）ソリューションについて説明。2023年から100V対応の降圧コントローラーICとドライバICを投入しており、モーターをはじめとする産業機器、大型の医療診断機器、データセンター、宇宙機器などに向けた提案を強化する方針だ。（2024/6/3）

高耐圧GaNの技術を獲得へ：
Power Integrationsが縦型GaN新興メーカーの資産を買収
Power Integrationsが縦型GaNパワー半導体を手掛ける米国の新興メーカーOdyssey Semiconductor Technologies（以下、Odyssey）の資産を買収する。2024年7月に完了する見込みで、その後、Odysseyの主要従業員全員がPower Integrationsの技術組織に移籍する予定だ。（2024/5/29）

セミナー：
PR：まだ小さくなるのか！ 新型プリウスのパワーコントロールユニット分解から見えるパワエレ技術トレンド
（2024/5/28）

30年の知見を生かす：
PR：CMOSイメージセンサーで存在感を増すOMNIVISION　「日本にも大いなる伸びしろ」
1995年にCMOSイメージセンサー（CIS）の専業メーカーとして設立された米OMNIVISION（オムニビジョン）。以来、裏面照射型アーキテクチャやグローバルシャッターなど、先端技術を取り入れながらCISのシェアを大きく伸ばし、同市場での存在感を強めている。近年はR＆D投資をさらに拡大。産業機器や医療機器で大きな市場がある日本でも、過去7年間で4カ所新設したR＆Dセンターを足掛かりに、さらなる飛躍を遂げようとしている。（2024/5/28）

生産能力は21年比で2.5倍に：
加賀東芝の300mm対応パワー半導体製造棟が完成　24年度下期に本格稼働
東芝デバイス＆ストレージは2024年5月23日、加賀東芝エレクトロニクスで、300mmウエハー対応パワー半導体新製造棟（第1期）の竣工式を行った。本格稼働は2024年度下期を予定していて、フル稼働時にはパワー半導体の生産能力が2021年度比で2.5倍になる見込みだ。（2024/5/24）

FAニュース：
三菱電機がパズルキューブを解くロボットで世界最速記録、FA機器と制御技術活用
三菱電機は同社のFA機器とロボットを組み合わせたロボットで、「パズルキューブを最速で解くロボット」のギネス世界記録に挑戦し、世界記録の更新に成功した。（2024/5/24）

23年度は減収減益：
24年度は増収減益予想のローム、SiCパワー半導体への投資や新製品投入の計画を説明
ロームの2023年度通期決算は、売上高が前年度比7.9％減の4677億円、営業利益が同53.1％減の433億円、純利益が同32.9％減の539億円で減収減益となった。2024年度は売上高が同2.6％増の4800億円、営業利益は同67.7％減の140億円、純利益は同74.1％減の140億円と増収減益になる計画だ。【訂正あり】（2024/5/17）

「24年6月から1年かけ」協議へ：
半導体事業全般で技術開発や生産、販売なども、東芝との提携強化を狙うローム
ロームは2024年5月8日に開催した決算説明会で、東芝の半導体事業との業務提携強化に向けた協議を2024年6月に開始すると公表した。ローム社長の松本功氏は、すでに提携を進めるパワー半導体の製造に加え、半導体事業における研究開発や設計、調達、物流、販売といった幅広い分野での業務提携を目指す提案の概要および、シナジー効果を語った。（2024/5/17）

レーザーを“優しく速く”照射する新手法：
PR：今まで見えなかったSiCの不良を「見える化」！　パワー半導体の開発を加速させる不純物解析
次世代パワー半導体の研究・技術開発に欠かせないSiC／GaNウエハーの不良解析が大きく進展しようとしている。サーモフィッシャーサイエンティフィック製のICP-MSとガルバノ光学系搭載フェムト秒レーザーアブレーションシステムを組み合わせた新しい元素分析装置「ガルバノ光学系搭載フェムト秒LA-ICP-MS」は、ウエハーに含まれる微量の不純物元素を高精度かつ高感度で解析する装置だ。既存の分析手法では得られなかったデータを活用できるようになり、次世代パワー半導体の開発や製造に大きく貢献する可能性がある。（2024/5/17）