「パワー半導体」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

福岡で2026年稼働：
パワー半導体モジュール新工場を建設へ　三菱電機
三菱電機は、パワー半導体モジュールの組み立てと検査を行う新工場棟を、パワーデバイス製作所福岡地区に建設する。投資額は約100億円で2026年10月の稼働を予定している。（2024/11/20）

材料技術：
印刷して焼結するだけで銅配線が可能なペースト　酸化しにくく厚膜にも対応
住友金属鉱山は、「第15回 高機能素材Week」で、開発品として「微粒銅粉」と「金属錯体導電性ペースト」を披露した。（2024/11/20）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
GaNパワー半導体特許紛争でEPCが「勝利」、米ITCが特許侵害認定
2023年5月から続いているGaNパワー半導体の主要メーカー同士の特許係争について、2024年11月上旬、米国国際貿易委員会（ITC）が最終決定を下しました。（2024/11/18）

「レールガン」研究の近況、装備庁が発表　“弾丸の安定した飛翔”に成功　電源の小型化も検討中
防衛装備庁は、電磁気力で物体を撃ち出す装置「レールガン」の最新の研究動向を発表した。（2024/11/14）

サンプル出荷を開始：
「斜めからのイオン注入」で損失低減　三菱電機のxEV用SiC-MOSFET
三菱電機は、電動車（xEV）の駆動モーター用インバーターに向けた標準仕様のパワー半導体チップ「SiC-MOSFET」を開発、サンプル出荷を始めた。xEVの航続距離を延伸でき、電費の改善につながるとみている。（2024/11/14）

1個のマイコンで8機能を制御：
ルネサスとニデック、「8-in-1」EアクスルのPoCを開発
ルネサス エレクトロニクスは、駆動モーターやギヤ（減速機）、インバーターなどを統合したEV（電気自動車）向けユニット「E-Axle（イーアクスル）」として、マイコン1個で8機能を制御できる「8-in-1」のPoC（概念実証）を、ニデックと共同で開発した。（2024/11/12）

BEV普及の減速など：
ローム、一転通期赤字を予想　SiC投資にブレーキ
ロームは2024年度通期業績について、売上高を期初予想比300億円減の4500億円、営業利益を150億円の赤字（期初予想は140億円の黒字）、純利益を60億円の赤字（同140億円の黒字）にそれぞれ下方修正した。（2024/11/8）

課題は顧客獲得：
CHIPS法の成功事例となるか　パワー半導体ファウンドリーを目指すPolar
米CHIPS法による助成金を最初に獲得した企業で、サンケン電気の米国子会社でもあるPolar Semiconductorは、より幅広い顧客向けにパワー半導体を製造する商業ファンドリーへと転換しようとしている。半導体製造の自国回帰を進める米国にとって、Polarの戦略が成功するか否かは重要な指標になりそうだ。（2024/11/5）

組み込み採用事例：
「Luna Lake」向けパワーマネジメントICを共同開発
ルネサス エレクトロニクスは、「Intel Core Ultra 200V」シリーズプロセッサ搭載のノートパソコン向けとなる、専用パワーマネジメントIC「RAA225019」を、インテルと共同開発した。（2024/11/1）

EE Exclusive：
世界最大級のパワエレ展示会「PCIM 2024」で見た最新動向
世界最大規模のパワーエレクトロニクス専門展示会「PCIM Europe 2024」が2024年6月11〜13日、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術などを紹介する。（2024/10/31）

15％以上の電力損失削減：
「世界最薄」20μmのパワー半導体ウエハー技術を開発、Infineon
Infineon Technologiesが、厚さ20μmと「世界最薄」（同社）の300mmパワー半導体ウエハーのハンドリングと加工に初めて成功したと発表した。厚さを従来より半分にすることで基板抵抗が50％下がり、電力システムにおける電力損失は15％以上削減できるという。（2024/10/29）

工場ニュース：
TIが会津工場でGaNパワー半導体を生産、米国拠点と合わせて生産能力は4倍に
TIは、会津工場でGaNパワー半導体の生産を開始したと発表した。これまでTIはGaNパワー半導体をダラス工場で生産してきたが、新たに会津工場が加わることで生産能力は従来比で4倍に増強される。（2024/10/29）

電子ブックレット（組み込み開発）：
インテルが大胆設計変更のLunar Lake／シャープのFCR回路技術
MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2024年7〜9月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2024年7〜9月）」をお送りする。（2024/10/28）

300mmウエハープロセスも開発：
TIが会津工場でGaNパワー半導体を生産開始、製造能力4倍に
Texas Instrumentsが日本の会津工場（福島県会津若松市）でGaNパワー半導体の生産を開始した。米国テキサス州ダラスの既存GaNパワー半導体工場と合わせると、自社製造能力は4倍になるという。（2024/10/25）

高効率と小型化を両立：
ルネサス、Intelと共同で「Lunar Lake」向け電源ソリューションを開発
ルネサス エレクトロニクス（ルネサス）は、IntelのAI PC向けプロセッサ「Intel Core Ultra 200Vシリーズ」用のパワーマネジメントソリューションを発表した。同ソリューションは、ルネサスとIntelが共同開発したもの。（2024/10/25）

格子不整合を緩和して単結晶化：
SiC低価格化の鍵になるか　ヘテロエピ成長用「中間膜」技術
東京大学発のスタートアップであるGaianixx（ガイアニクス）は「CEATEC 2024」で、同社が手掛ける「多能性中間膜」の技術を展示した。ヘテロエピタキシャル成長用の技術で、さまざまな金属材料の単結晶膜をシリコン基板上に形成できるようになる。（2024/10/24）

STマイクロ STPMIC25：
16チャネル分の電源を集積したSTプロセッサ用PMIC
STマイクロエレクトロニクスは、マイクロプロセッサ「STM32MP2」用のパワーマネジメントIC「STPMIC25」を発表した。16チャンネル分の電源を1パッケージに集積している。（2024/10/23）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
この木、なんの木？「半導体の木」
ドイツのInfineon Technologies本社を初訪問し、いろいろと興味深い話を聞いてきました。（2024/10/21）

2026年4月末に：
サンケン電気が志賀工場を閉鎖へ、能登半島地震で被災
サンケン電気は、令和6年能登半島地震で被災した石川サンケンの志賀工場（石川県志賀町）を2026年4月末に閉鎖する。2024年1月の被災後、復旧活動を進めて全面的な生産を再開していたが、震災影響評価の結果、恒久的使用は困難との結論に至ったという。同社は今後、グループ後工程における生産再編の実施を行う予定だ。（2024/10/18）

次世代パワー半導体：
酸化ガリウムウエハーの低コスト量産に向け、東北大が新会社を起業
東北大学は、β型酸化ガリウム（β-Ga2O3）ウエハーの低コスト量産化を目指す同大発のスタートアップFOXを起業したと発表した。同大と同大発スタートアップのC＆Aが共同開発した貴金属フリーの単結晶育成技術を用い、シリコンに匹敵する低欠陥のβ-Ga2O3インゴット／基板を、SiCより安価に製造する技術の実用化を目指す。（2024/10/17）

大山聡の業界スコープ（81）：
好調なんてとんでもない！　前年比28％増を記録した半導体市場の現在地
世界半導体市場統計（WSTS）によれば、2024年8月の世界半導体市場規模は前年同月比28.0％増と大きく成長した。果たしてその数字通り、半導体市場は好調なのだろうか。半導体市場の現状と今後の見通しについて考えてみた。（2024/10/15）

真空チャンバーなどは不要：
パワー半導体向けボイドレスはんだ付け技術を開発
日本アビオニクスは、パワー半導体チップとリードフレームや放熱板を接合する時に発生するボイドを抑えられる「ボイドレスはんだ付け」技術を新たに開発した。同社が保有する「パルスヒートはんだ付け」と「超音波接合」の技術を融合することで実現した。（2024/10/16）

研究開発の最前線：
ルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜でN型伝導性を確認
Patentixは、ドーパント不純物の添加により、世界で初めてルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜のN型伝導性を確認した。シリコンと比べ、電気エネルギーの損失が極めて低いパワー半導体の作製が期待される。（2024/10/11）

58の自治体／団体が出席：
「半導体産業で全国を連携」　SEMI設立の協議会が初会合
2024年10月8日、「全国半導体地域連携協議会」の第1回会合が都内で開催され、58の自治体／団体が参加した。同協議会は、半導体産業による地域経済の活性化を目的としてSEMIが2024年9月に設立した。（2024/10/10）

溶液法SiCウエハー事業：
JSファンダリとオキサイド、SiCウエハー国産化目指し協業
JSファンダリとオキサイドが、溶液法SiCウエハー事業において、業務提携に関する基本合意書を締結したと発表した。JSファンダリは、「溶液法SiCウエハーの事業化にオキサイドと取り組み、「欠陥が少なく高品質なウエハーの市場への安定投入を図ることで、自社のパワー半導体ビジネス拡大への足掛かりとする」としている。（2024/10/9）

ルネサスの海外販売戦略に柔軟かつ即座に対応：
PR：Avnet、日本でルネサス製品の取り扱い開始　需要創出と物流で強力に支援
Avnet（アヴネット）がルネサス エレクトロニクス製品の取り扱いを日本で開始した。M＆Aを経て製品群が大幅に増加したルネサスは、ラインカードが多く物流ネットワークにも強いAvnetに大きな期待を寄せる。AvnetのAsia Pacific and Japanでプレジデントを務めるPrince Yun氏と、ルネサス グローバル・リージョナル＆日本アジアパシフィック統括でバイスプレジデントを務める長谷川夕也氏が、ルネサスとしてAvnetを選択した背景やルネサスとAvnetのパートナーシップがエンジニアにもたらす価値について語った。（2024/10/16）

モジュール組み立て工程に供給開始：
12インチウエハーを用いてSiパワー半導体チップを量産
三菱電機は、パワーデバイス製作所福山工場の12インチSiウエハー対応ラインで製造したパワー半導体チップの本格出荷を始めた。同社は「2025年度までにSiパワー半導体の前工程における生産能力を、2020年度に比べ約2倍とする」中期計画に取り組んでいる。（2024/10/2）

工場ニュース：
サイコックスが貼り合わせSiC基板の8インチ量産ラインを構築決定
サイコックスは、サイコックス大口工場（鹿児島県伊佐市）で、貼り合わせSiC基板「SiCkrest）」の8インチ量産ラインを構築することを決定した。（2024/10/2）

Axus Technologyが開発：
SiCを低コスト化できるか　米装置メーカーのCMP技術
米Axus Technologyが提供するCMP（化学機械研磨）装置は、SiCウエハーのコストを大幅に下げる可能性がある。（2024/10/1）

工場ニュース：
12インチSiウエハーを用いたパワー半導体チップをモジュール組立工程に供給開始
三菱電機はパワーデバイス製作所 福山工場で製造する12インチSiウエハーを用いたパワー半導体チップを、モジュール組み立て工程に向けて本格的に供給を始めた。（2024/10/1）

2024年見込みは470億ドル：
半導体材料市場、2029年に583億ドル規模へ
富士経済は、半導体材料について2029年までの世界市場を予測した。これによると、2024年見込みの470億米ドルに対し、2029年には583億米ドル規模に達する。新たなAI（人工知能）搭載機器の登場や、データセンター向けサーバの需要増加などにより、半導体材料市場は拡大が続く。（2024/10/1）

固有の劣化モードを評価：
SiCパワー半導体の劣化試験サービスを開始、OEG
OKIエンジニアリング（OEG）は2024年9月、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体固有の劣化モードを評価する「AC-BTI試験サービス」を始めた。SiCパワー半導体の開発やデバイス選択、応用製品の設計などを支援していく。（2024/9/30）

エントリーレベルのADAS向け：
ルネサス、車載用R-Car V4Mシリーズを提供開始
ルネサス エレクトロニクスは、エントリーレベルのADAS（先進運転支援システム）に向けた車載用R-CarファミリSoC「R-Car V4Mシリーズ」のサンプル出荷を始めた。上位モデルの「V4Hシリーズ」も製品群を拡充した。自動運転レベル1からレベル2対応のADASソリューション用途に向ける。（2024/9/27）

SMCが生産能力を大幅拡大：
中国でパワー半導体の新工場稼働　着工からわずか21カ月で
米国資本の半導体メーカーであるSMC Diode Solutions（SMC）は、中国 南京で2つ目のパワーディスクリート工場の稼働を開始した。総面積は2.8万平方メートルで、建設には30億人民元（約615億円）を投じた。高性能／高電圧整流器を製造する予定で、SMCの生産能力は大幅に増大していくとみられる。（2024/9/26）

材料技術：
レゾナックがソイテックとSiCパワー半導体向け貼り合わせ基板の共同開発契約締結
レゾナックは、先進的な半導体基板材料を製造するフランスのソイテックと、パワー半導体に使用される8インチの炭化ケイ素SiCエピウエハーの材料となる8インチSiC貼り合わせ基板の共同開発契約を締結した。（2024/9/26）

生産性向上に向け：
レゾナック、Soitecと8インチSiC貼り合わせ基板を共同開発へ
レゾナックは2024年9月24日、半導体基板材料を製造するフランスのSoitecと、パワー半導体に使用される8インチSiC（炭化ケイ素）エピタキシャルウエハーの材料となるSiC貼り合わせ基板に関する共同開発契約を締結したと発表した。（2024/9/26）

組み込み開発ニュース：
普及するSiCパワー半導体固有の劣化検査サービス開始、正しい省エネ性能を確保へ
OKIエンジニアリングは、SiCパワー半導体固有の劣化モードに対する評価サービスを開始する。JEITAやJEDECにおける規格に準拠した「AC-BTI試験サービス」を実施する。（2024/9/24）

材料技術：
先端半導体パッケージ向け仮固定フィルムと剥離プロセスを開発、「すす」が出ない
レゾナックは、半導体の前工程や後工程で、ウエハーなどをガラスなどのキャリアに一時的に固定するための仮固定フィルムとその剥離プロセスを開発した。（2024/9/20）

組み込み開発ニュース：
Siパワー半導体でSiCと同等レベルの低損失を実現、シャープのFCR回路技術
シャープは、技術展示イベント「SHARP Tech-Day'24」において、Siパワー半導体を用いて次世代に位置付けられるSiCパワー半導体と同等レベルの低損失を実現できるFCR回路技術に関する参考展示を行った。（2024/9/19）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
相次ぐ買収に特許紛争、一方で破産も……激動のGaNパワー半導体市場
競争は激化の一途をたどっています。（2024/9/17）

AI／半導体ソリューションの展望語る：
キーサイト新社長は開発部門生え抜きの寺澤氏　「日本の顧客支えたい」
キーサイト・テクノロジーの新社長に開発部門出身の寺澤紳司氏が就任した。開発部門出身者が同社の社長に就くのは初めて。就任記者会見ではAI（人工知能）戦略や半導体向けソリューションの展望を語った。（2024/9/17）

TI DLPC8445：
90％小型化した4K DLPディスプレイコントローラー
テキサス・インスツルメンツは、4K ULTRA HDプロジェクターに対応したディスプレイコントローラー「DLPC8445」を発表した。前世代製品と比べ、90％小型化した。（2024/9/17）

2025年3Qに完成予定：
レゾナック、山形にSiC基板とエピウエハー生産の新拠点設置へ
レゾナックは2024年9月13日、山形県東根市の山形工場にパワー半導体向けSiC（炭化ケイ素）ウエハーの生産建屋を新設すると発表した。2025年第3四半期の完成を予定している。（2024/9/13）

シリコン並みの低コスト化に向け：
「世界初」300mm GaNウエハー技術を開発、Infineon
Infineon Technologiesが、300mmのGaN（窒化ガリウム）ウエハー技術を開発した。300mmウエハーでのチップ製造は、200mmウエハーの場合と比べ、ウエハー1枚当たり2.3倍のチップが製造可能となり、効率が大幅に向上する。（2024/9/11）

パワー半導体デバイス向け基板で：
青色半導体レーザーで窒化アルミニウムと銅を接合
大阪大学は、DOWAホールディングスや島津製作所と共同で、パワー半導体デバイスに用いられる窒化アルミニウム基板に対し、青色半導体レーザーを用い、銅を直接接合する技術を開発した。接合に用いる材料と製造工数の削減が可能となる。（2024/9/12）

PCIM Europe 2024：
初の車載SiCモジュールで市場展開を加速、三菱電機
三菱電機は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、モールドタイプのxEV用インバーター用パワー半導体モジュール「J3」シリーズや、鉄道および直流送電などの大型産業機器向けのSBD内蔵SiC MOSFETモジュールなど、各分野向けに開発した新製品を紹介していた。（2024/9/11）

PCIM Europe 2024：
独自モールドタイプモジュールで車載SiCの主戦場へ挑むローム
ロームはドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」の初日に記者会見を行い、同社取締役常務執行役員パワーデバイス事業担当の伊野和英氏がSiCパワーデバイス新製品の概要や、事業の展望などを語った。（2024/9/10）

銀とシリコンの共晶合金を液体急冷：
ワイドバンドギャップ半導体向けの新たな接合材料
大阪大学はダイセルとの共同研究で、銀（Ag）とシリコン（Si）の共晶合金を液体急冷すると、非晶質SiやAg過飽和固溶体の準安定相が出現することを発見した。また、液体急冷Ag−Si合金を大気中で加熱すると、Ag過飽和固溶体に含まれるSiが酸化反応を起こし、副産物としてAgが析出されることも明らかにした。（2024/9/10）

PCIM Europe 2024：
低温で接合後に融点480℃に、田中貴金属独自のシート状接合材
田中貴金属グループの製造事業を展開する田中貴金属工業および田中電子工業は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」に出展。独自開発の低温で接合可能ながら高温耐熱性を持つ独自開発のシート状接合材である「AgSn TLPシート」などを展示していた。（2024/9/10）

工場ニュ―ス：
インフィニオンがSiCパワー半導体新工場の第1フェーズ開設、3000億円超投資
Infineon Technologies（インフィニオン）は、マレーシアのパワー半導体新工場の第1フェーズを正式に開設した。第1フェーズでは、高効率200mm SiCパワー半導体のほかGaNエピタキシーを製造し、900人の高付加価値雇用が創出される。（2024/9/4）