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絶縁耐圧が従来比1.5倍 1.7kV耐圧のパワー半導体モジュール三菱電機 HVIGBTモジュールS1

三菱電機は、大型産業機器向けに耐圧1.7kVのパワー半導体モジュール「HVIGBTモジュールS1」シリーズ2製品を発売した。RRSOA耐量や絶縁耐圧が向上し、電力損失や熱抵抗が低減している。

» 2025年01月08日 09時00分 公開
[EDN Japan]

 三菱電機は2024年12月、大型産業機器向けに耐圧1.7kVのパワー半導体モジュール「HVIGBTモジュールS1」シリーズ2製品を発売した。価格は個別見積もりによる。

パワー半導体モジュール「HVIGBTモジュールS1」シリーズ 出所:三菱電機

 独自のRFCダイオードを採用し、RRSOA耐量が同社従来品と比較して2.2倍に拡大した。RRSOA耐量とは、スイッチング時に生じる逆電圧や逆回復電流による破壊が起こらない保証範囲を示したものだ。

 RFCダイオードに加え、キャリア蓄積効果を用いた同社独自のCSTBT構造をIGBTに採用。電力損失や熱抵抗が低減していて、インバーターの高効率化に貢献する。

独自構造で絶縁耐圧が1.5倍に向上

 また、独自の絶縁構造により、絶縁耐圧が同社従来品比1.5倍の6.0kVrmsに向上した。インバーター内部の絶縁周りの設計自由度が増し、さまざまなタイプのインバーターに対応可能となった。

 同製品は、結線がデュアルタイプの「CM1200DC-34S1」と、チョッパータイプの「CM1200E4C-34S1」を用意する。定格電流は1200A、サイズは同社従来品と同じ130×140mmで容易に置き換え可能だ。大型産業機械や電力関連システム、鉄道車両の駆動システムなどのインバーターに適する。

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